[Gucki]

*Grummel*

Naja... dann zumindest kein unnötiger 120 Ohm pullup. Sonst krieg ich Pickel.

   

Notes:

C1 muss vom MOS entladen werden. Wie bisher bei Euch ja auch. Dafür ist der MOS gebaut. In allen anderen Fällen würde der Unterbrecherkontakt mit dem C1-Strom belastet werden.

Wenn der 1k Gatewiderstand (R1) die Schaltverluste im MOS zu sehr steigert, kann man ihn auch durch 100 Ohm ersetzen.

Wie schon beim PTC ist das langsame Abwürgen des MOS wichtig, damit kein falscher Funke beim Powerdown entsteht.

Der 4.8V-UVLO des MOS ist auch kein Drama. Zwar überwacht nun keiner die dabei steigende MOS-Temperatur. Aber das hier implementierte Timeout sorgt dafür, dass der MOS zumindest nur eine Sekunde lang leiden muss. Im schlimmsten Fall können während dieses timeouts im MOS 3 Watt umgesetzt werden.

Auf den LED-Kreis darf nicht verzichtet werden. 

Der NFET kann nicht durch einen MOS ersetzt werden. Ich brauche die Diodenfunktion des Gates.

[kahlo]

Der PTC ist in der Funktion nicht unauffällig. Beim Kicken will man keine von aussen nicht sichtbaren Gründe, warum es gerade nicht geht. Dazu gehören auch Wartezeiten.

[kahlo]

(Vor 10 Stunden)Gucki schrieb: *Grummel*

Naja... dann zumindest kein unnötiger 120 Ohm pullup. Sonst krieg ich Pickel.

Das verstehst du falsch: Der 120 Ohm-Widerstand sollte ein um die 50mA permanenten Stromfluss auf den Kontakt bringen, zur Selbstreinigung. Es ist gut möglich, dass das bei dieser Schaltung überflüssig ist. Hier werden ja vom Kontakt die 4A geschaltet, nur dass der Mosfet sehr zeitnah übernimmt. Das muss übrigens noch in der Praxis überprüft werden. Nicht dass ungehemmter Funkenflug auftritt und der Mosfet erst übernimmt, wenn der Kontakt es endlich geschafft hat und die Funken eh weg sind. Ich werde gerade skeptisch...

C1 geht so nicht    (duck und weg...)

Danke für deinen Input - heute nacht gucke ich mir die Simulation an.

[Gucki]

C1 lag auch in Deiner vorigen Schaltung zwischen Drain und Source und wurde vom MOS entladen. Die schräge Schaltung machts exakt genauso. Gerade an dieser heiklen Stelle würde ich nichts verschlimmbessern.

Der 120 Ohm-Widerstand macht 50 mA. Der Spulenstrom erreicht 50mA schon 40us nach Kontaktschließung.

[kahlo]

Und warum bekomme ich 25kW-Peaks in der neuen Schaltung, in der alten aber nicht?
Schalter und Mosfet liegen in Reihe. Der Mosfet öffnet, nachdem der Schalter geöffnet hat. Ist der Schalter offen, wenn ein Lichtbogen zwischen den Kontakten ist?

[Gucki]

Zitat:Der Mosfet öffnet, nachdem der Schalter geöffnet hat

Ok. Jetzt seh ichs. Der Powerpeak passiert beim Öffnen des MOS. Ich dachte irrtümlich beim Schließen.

Darüber muss ich nachdenken.

---

Du hast völlig Recht, kahlo!

Aber ich habs nicht verstanden.

Wenn der linke Anschluss von C1 mit K30 verbunden wird, klappt alles bestens.

Wer kanns erklären?

[Gucki]

Ich hab immer noch keine Antwort. Aber so, wie kahlo C1 verdrahtet hat, funktioniert alles ganz vorzüglich.

   

Dann muss ich den Ruhm dieser Schaltung wohl teilen, was? 

[kahlo]

Der Ruhm ist komplett deiner .

Im Augenblick sehe ich vor meinem inneren Auge einen funkensprühenden Kontakt sowie einen Mosfet, der schaltet, wenn alles zu spät ist. Das wird in der Simulation nicht berücksichtigt und muss wahrscheinlich ausprobiert werden.

[Gucki]

Die Schuld ist komplett meine (wenn es so kommt). 

-------------

Ich frag mich gerade, ob wir überhaupt von geöffnetem und schließenden MOS reden können. Im Prinzip ist der MOS ja immer leitend (außer wenn wir seine Gate-Spannung reduzieren).

Dass mal Strom und mal nicht fließt, dafür ist ausschließlich der Kontakt verantwortlich. Ich könnte ohne jeden Geschwindigkeitsnachteil auch nen BJT einsetzen.

Die Schaltung ist uns ja als Kaskode-Schaltung bekannt. Aber hier in dieser Anwendung ist das schon fast ein Stück schwarze Magie.

Der Ruhm reicht locker für Zwei