14.05.2013, 12:09 PM
Q2 und Q3 (beides nMOSFET) sollen die zugehörigen Batterien aktivieren können.
Das wird so nicht funktionieren. Die Anti-Elektronen kommen aus dem Pluspol einer Batterie raus, gehen in die Anode der zugehörigen Dioden, kommen aus der Katode wieder raus, gehen durch den Verbraucher und landen auf dem Source von Q2 bzw. Q3. Dort treffen sie auf eine weit geöffnete Anode der backdiode, durch die sie mühelos zurück zur Batterie fließen. Völlig egal, ob Du am Gate rumschaltest oder nicht.
Das einzige, was Du mit Gatespannung erreichen kannst, ist eine Verminderung der 0,7V Flussspannung der backdiode.
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Weitersuchen....
Das wird so nicht funktionieren. Die Anti-Elektronen kommen aus dem Pluspol einer Batterie raus, gehen in die Anode der zugehörigen Dioden, kommen aus der Katode wieder raus, gehen durch den Verbraucher und landen auf dem Source von Q2 bzw. Q3. Dort treffen sie auf eine weit geöffnete Anode der backdiode, durch die sie mühelos zurück zur Batterie fließen. Völlig egal, ob Du am Gate rumschaltest oder nicht.
Das einzige, was Du mit Gatespannung erreichen kannst, ist eine Verminderung der 0,7V Flussspannung der backdiode.
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