[3eepoint]

also hier nochmal das ganze mit beschriftung:


Drainspanung is bei 50V aus seperater Versorgung, versuch derzeit das gnze auf Emitterschaltung um zu stellen wegen den Spannungsverlusten.

[Rumgucker]

Du kannst 1000V Drainspannung verwenden. Das wird Dir nicht helfen. Am Source kommen bestenfalls +10Vs raus (voltwide schreibt +9Vs).

[Rumgucker]

Zitat:Original geschrieben von 3eepoint
Mit Emitterschaltung komm ich auf ganze 50mV.......
........bei 25V Treiberspanung die am Gate anliegen......

Was sind denn das für OPVs, die 50V Versorgungsspannung abkönnen? Die meisten schaffen doch nur maximal 36V.

Also nochmal: Du steckst +18V in den OPV (also 36V Versorgung). Aus ihm kommen bestenfalls +15V raus. Das steckst Du in einen Emitterfolger. Aus dem kommen bstenfalls +14V raus. Das steckst Du in einen NMOS. Und aus dem kommen nur noch +10V raus.

[3eepoint]

Also......
.....zu der OP Versorgung, war n Unachtsamkeitsfehler von mir, hatte die Treiberstufen da ja mit dran und wollte gucken wie die mit ner höheren Spannung arbeiten(also ob die Ausgangsspannung bis an die Versorgungsspannung steigt) was se wie ich ja jetzt weiß nicht tut ^^
Das hab ich jetzt korrigiert, jeder Abschnit hat seine eigene Versorgung bekommen (OP +-18 Treiber +-20 und NMosfet`s jeweils +-50V).
Ich hab die Treiber jetzt auch komplett in Emitterschaltung geändert.

Zitat:
,,Du kannst 1000V Drainspannung verwenden. Das wird Dir nicht helfen. Am Source kommen bestenfalls +10Vs raus (voltwide schreibt +9Vs)."

Jetzt wird mir auch klar was du meintest, dachte du meinst die Spannung der Treiberstufen......
..... und voltwide danke für den Hinweis bei der Dukumentation, wird ab jetzt beherzigt! Hoffe nur das es auch verständlich is was ich womit meine^^

Ich hab in der Schaltung jetzt einfach mal probiert die Treiberspannung 10V über die Versorgungsspannung der Mosfets zu setzte (hatte das irgendwo mal gelesen das das bei Class D manchmal gemacht werden muss) und siehe da sie schalten durch, wobei ich denke dass das die Gates nicht mitmachen würden da diese ja nur +-20V in der Regel aushalten. Außerdem hab ich im jeden Umschaltmoment einen Strompuls(wahrscheinlich n Kurzschluss anders kann ich mir das nicht erklären) von 24KA, am RL fließen aber nur 6A, was nach der Leistungsrechnung auch hinkommen würde( Vsqr/R=W 50sqr/8=312,5 Gegenrechnung 312,5W/6A=52,80V) aber die 24KA Würden die Schaltung dan doch recht schnell verdampfen.
Hier also das Schaltbild mit:
1.Beschriftung
2.Emitterschaltung
3.Treiberspannung 10V über Versorgung der Mosfets



Hoffe das das jetzt langsam mal in eine funktionsfähige richtung geht was ich da mir eurer Hilfe schuhster^^

[Rumgucker]

Du bist schon ein wenig auf dem richtigen Weg. Nur... Deine Treibertransistoren können allesamt niemals stromlos werden. Sie leiten alle gleichzeitig. Und das liegt einfach daran, dass die Emitterspannungen stets höher sind als die Basisspannungen.

Guck Dir mal beispielsweise Q1 an. An seinem Emitter liegen konstant 60V. Die Spannung am linken Anschluss von R2 wackelt zwischen +15V und -15V.

Damit fließt ein Basisstrom von "(60V - 15V - 0.7V) / 1k" bzw. von "(60V + 15V - 0.7V) / 1k". In jedem Fall fließt also Basisstrom. Q1 kann niemals stromlos werden. Und den anderen Treiber-BJT gehts genauso.

[3eepoint]

Aähm, das die Teile nicht stromlos arbeiten ist mir klar, ich hab die Stromspitzen aber an den Mosfets (bzw ,,zwischen" an den Drain-Source Verbindungen) und nicht in der Treiberstufe (da fließen an der Basis nur 70ma und am Kollektor bzw Gate des Mosfet nur 800ma wobei das ja von den Gatewiderständen abhängig ist bei 10Ohm sind dan schon 2.5A) und wo die herkommen würd ich gern wissen.......

[Rumgucker]

Ich hab Dir doch erklärt, was das Problem in Deinen Treibern ist. Ich hab Dir sogar Formeln hingeschrieben, die sich mit Deinen 70mA-Messungen decken.

Wenn Du in einen BJT 70mA Basisstrom schickst (womit Deine OPVs eh völlig überlastet wären), so fließen Treiber-Kollektorstrome von rund 7A.

Dauerhaft.

Was willst Du mehr wissen?

[Rumgucker]

Zitat:Original geschrieben von 3eepoint
wobei das ja von den Gatewiderständen abhängig ist

Was für Gatewiderstände? R4 und R7 sind Gatewiderstände. Alle anderen sind Basisvorwiderstände.

[3eepoint]

Ich glaub wir reden grad n bischen aneinander vorbei....
DAS Ist mein Problem (gemessen an den Mosfets zum RL)




Also:Wo kommt das her und wie bekomm ichs wieder weg......

[Rumgucker]

Es mag sein, dass das Dein Problem ist.

Das Problem der Schaltung liegt aber schon in den Treibern. Die müssen zwischen Stromfluss und keinem Stromfluss "digital" schalten können.

Wenn sie das nicht tun (und ich hab Dir erklärt, warum sie das nicht tun), dann funktionieren die Treiber nicht und damit auch nicht die Endstufe.

Um die Endstufe kann man sich erst dann sinnvolle Gedanken und Messungen machen, wenn der Treiber einwandfrei funktioniert.

[3eepoint]

Ok, dan muss ich also nen neuen Treiber aufbauen der absolut dicht machen kann, bzw mehr "digital" schaltet....
spricht für mich aus das ich von der diskreten Stufe weg soll und lieber n treiber Ic nehme, den ich wüsste jetzt nicht wie ich den diskreten Treiber so hinbekomme das er komplett ohne Stromfluss in den entsprechenden Vorgängen schaltet.

[Rumgucker]

Ich hab das Gefühl, dass Du die Funktionsweise eines Transistors noch nicht ganz durchdrungen hast.

Das ist ja auch ok. Nun gibt es zwei Methoden, dieses Problem zu beheben:

1. man lernt das noch nicht Gelernte

2. man weicht auf eine kompliziertere Technologie aus in der irrigen Hoffnung, dass man damit das eigene fehlende Wissen umgehen kann.


Du kannst Dir sicherlich vorstellen, was ich über die zweite Methode denke, oder?

[Rumgucker]

WENN Du Dich für die erste Methode entscheidest, so sollten wir gleich mal Spice benutzen, um die grundlegenden Eigenschaften eines BJT zu begreifen.

[voltwide]

Der Treiber ist durchaus auch in diskreter Technik realisierbar.
Nur mußt Du Dich von der Emitterschaltung trennen und statt dessen
Emitterfolger = Kollektorschaltung aufbauen.

Die Ausgangsstufe kann auch nicht so bleiben.

Ich würde erstmal einen P-Kanal/N-Kanal jeweils für Hi/Loöside vorschlagen.
Source ist jeweils an +/- Versorgung. Die beiden drains bilden den Ausgang.
Und dann eine gemeinsame Versorgungsspannung +/- 18V.

Und dann schau'n wir mal weiter.
Ansonsten schliesse ich mich den Worten meines Vorredners an

[3eepoint]

Natürlich bist du von der 2. Methode begeistert!!! Aber ich entscheide mich für die Erste ^^

Also im Ernst ich denke auch das es mir da noch mangelt nach dem wa hier jetzt rumgekommen ist und werde die erste Methode beschreiten.

[voltwide]

BTW finde ich, das gerade LTSpice ein geniales tool ist,
um Schaltungen zu verstehen.
Damit kannst Du an Stellen messen, da kämst Du im
realen Leben garnicht drauf.

Z.B. kannst Du den Basisstrom messen ohne die Funktion
der Schaltung zu stören, und das auch noch bei beliebig kleinen Werten.
Oder Du mißt "erdfrei" die Differenzspannung zwischen gate und source,
zwischen Basis und Emitter etc ppp.

Durch geschicktes setzen von Probes kannst Du jede Frage
an LTSpice stellen und die Schaltungsfunktion in allen Einzelheiten klären.

[3eepoint]

Jetzt wo ich weiß wies geht fin ich Spice auch klasse, auch wen meine Schaltungen nich machen was se sollen, sondern das machen was sie tun wen sie so aufgebaut werden^^

[Rumgucker]

Also wir machen mal folgendes:

Du setzt einen npn-Transistor (egal welchen) in Emitterschaltung, Emitter also auf Masse. In die Kollektorleitung setzt Du einen 1 Ohm Widerstand und schließt das ganze an eine 12V-Versorgung an. Vor die Basis hängst Du einen 10k Widerstand. Den wiederrum verbindest Du mit einer weiteren Spannungsquelle, die wir mal auf +10V einstellen.

Und dann zeigst Du uns das Schaltbild. Und dann diskutieren wir mal drüber.

[3eepoint]

Ok, hier das Schaltbild

[Rumgucker]

Ja! Wunderbar!

Bevor wie die nun simulieren möchte ich jetzt erstmal von Dir wissen, was für ein Strom durch R2 fließen wird. Bitte erklären und nicht etwa heimlich messen...