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3eepoints D Amp Projekt
So von mir für heurte Funkstille, sonst läuft Rumgucker noch amok und ich lerns dan auch nicht mehr vernünftig! Danke für deine Engels Gedult!!hail hail
 
Input + Output = Kaput
...mit der Lizenz zum Löten!
 
Zitat:Original geschrieben von Gucki
Rausfließenden (technischen) Strömen wird ein Minuszeichen vorangestellt. Reinfließende Ströme bekommen ein positives Vorzeichen

[Bild: 1_3ee_8.png]

Zitat:Original geschrieben von 3eepoint
Q1
Ic=45*100 Ic=+4500mA
Ie=45+4500 Ie=-4545mA
Ib=45/1000 Ib=-45mA
Falsch. Q1 ist ein pnp-Transistor. Da fließt der Gesamtstrom zum Emitter rein und die beiden anderen Ströme fließen ab. Kollektorstrom und Basisstrom müssen also zumindest gleiches Vorzeichen haben.


Zitat:Original geschrieben von 3eepoint
Q2
Ic=75*100 Ic=+7500mA
Ie=75+7500 Ie=-7575mA
Ib=75/1000 Ib=-75mA
Falsch. Q2 ist ein npn-Transistor. Da fließt der Gesamtstrom aus dem Emitter raus und die beiden anderen Ströme fließen rein. Kollektorstrom und Basisstrom müssen also zumindest gleiches Vorzeichen haben.

Zitat:Original geschrieben von 3eepoint
Q3
Ic=75*100 Ic=+7500mA
Ie=75+7500 Ie=-7575mA
Ib=75/1000 Ib=-75mA
Falsch. Q3 ist ein pnp-Transistor. Da fließt der Gesamtstrom zum Emitter rein und die beiden anderen Ströme fließen ab. Kollektorstrom und Basisstrom müssen also zumindest gleiches Vorzeichen haben.

Zitat:Original geschrieben von 3eepoint
Q4
Ic=45*100 Ic=+4500mA
Ie=45+4500 Ie=-4545mA
Ib=45/1000 Ib=-45mA
Falsch. Q4 ist ein npn-Transistor. Da fließt der Gesamtstrom aus dem Emitter raus und die beiden anderen Ströme fließen rein. Kollektorstrom und Basisstrom müssen also zumindest gleiches Vorzeichen haben.


Zitat:Original geschrieben von 3eepoint
So von mir für heurte Funkstille, sonst läuft Rumgucker noch amok und ich lerns dan auch nicht mehr vernünftig!
Ich musste eh nach Hause. Rolleyes Unterwegs auf dem Rad hab ich dann noch ein paar Rad-Falschfahrer (*) verprügelt und dann gings mir auch schon wieder besser.

[SUP](*) Im Winter bei Schnee und Eis kennt man die hardcore-Allwetterradler mit Namen. Aber sobald es wärmer wird, kommen die Verkehrsregel-Behinderten wieder aus ihren behüteten und warmen Wohnlöchern und nerven.[/SUP]

Zitat:Original geschrieben von 3eepoint
Danke für deine Engels Gedult!!
Bitte, bitte. Hab mich über mich selbst gewundert lachend
 
So, nachdem ich ne nacht und 8 Schulstunden drüber gegrübelt hab sitzt das jetzt auch (wohlgemerkt jetzt und nicht gestern abend....)

Das mit den Radfahrer kenn ich auch, fährt man gemütlich mit 35 durch die Fußgängerzone und denkt an nichts böses da fahren da vorne die 12 Jährigen vom Gym zu 7. nebeneinander und ignorieren hartnäckig das kKlingeln. Resultat:Meine Bestzeit is wiedermal hin und ich schlecht gelaunt.....^^
Aber dan bin ich ja hier und seh die Welt is noch in Ordnung ......

Hab mir meine Fehler übrigens aufgeschrieben, ich mach mir wenn ich an soetwas arbeite immer n Dokument wo ich sowas reinschreibe. Sozusagen ne eigene Grundlagensammlung.

So werd jetzt einen erneuten Versuch mit dem erlernten starten, da mir jetzt einiges klarer is !

Mfg Chris
 
Genau... lass mal alles erstmal in Ruhe sacken.

Und dann überraschst Du uns mit einer Schaltung, deren Ströme von irdischen Kraftwerken noch aufgebracht werden können... ;baeh

;pop;corn;
 
Also Leute ES ist malwieder so weit......

Also ich hab die Schaltung der Treiber Überarbeitt und bin zum Schluss gekommen das ich mit der Emitterschaltung nicht viel werde da mir einfach kein Weg Eingefallen ist wei ich es verhinder das der Transistor ständig leitet, also zurück zum Emitterfolger(Kolektorschaltung), hier hab ich ja normal das Problem das ich das Potenzial am Gate nicht hoch genug bekomme um die volle Betriebsspannung zu nutzen. Da hab ich also zur Kreatieven Ablenkung mal in der Teslaabteilung bei den Mosfetkillern n bischen gelesen und stoße da auf etws worauf man auch selbst hätte kommen können (ich zumindest, ich denk euch wirds bekannt sein bzw ich hatte davon bisher nicht sehr viel gehört), und zwar heist das ganze GDT=Gate driver transformer, der setzt schlicht und ergreifend die Spannung des Treiber auf die benötigte rauf......
[Bild: 1482_Simu10.jpg]
Ich kann die Spannung komischer Weise manchma nicht messen wen ich die Verbindung benenne also schreib ichs halt drunter.....

Grün=Spannung nach dem GDT
Rot=Strom ZWICHEN den Endfets

So jetzt seh ich aber noch folgende Probleme
1.Die Treiberschaltung funktioniert sowiet ich das sehe mit dem GDT recht gut nur ist mir bei der Spitze am Anfang des Rechtecks nicht ganz wohl da das die Gateisolierung durchhauen dürfte.
2.Die Stromspitzen zwischen den Mosfets resultieren schlicht daraus das beide gleichzeitig leiten, aber wieso zun sie das nur beim wechsel von - nach + und nicht be + nach - ?
3.Mir ist nicht ganz wohl bei der Sache nen Ferritkern in den Signalweg zu hängen da ich nicht weiß wie Linear der sich zu der Frequenz verhält, oder ist das bei einer PWM nicht so kritisch?

So dan haut mal drauf....... ;pop;corn;
 
ich kann Dir von Gate-Übertragern nur abraten:
-Groß
-Teuer
-schwer beschaffbar
-für Class-D-Amps ungeeignet:
Über einen Übertrager kannst Du nicht ohne weiteres ein Tastverhältnis von 1..99% übertragern, ohne dass sich dabei auch der Spannungspegel verschiebt.
Das würde die Simu auch so zeigen.
Man kann auch mit Übertragern so etwas hinbekommen, aber nur mit zusätzlichem Schaltaufwand rund ums gate.

Gate Übertrager machen eher Sinn, wenn man mit mehreren 100V Betriebsspannung arbeitet und das Tastverhältnis bei 50% bĺeibt.
Eine sinnvolle Anwendung wäre die gate-Ansteuerung innerhalb Voll-Resonanz-Konverters in phase shifted ZVS Vollbrücken-Schaltung.
...mit der Lizenz zum Löten!
 
Hab mir doch gedacht das das n Haken hat......


Eine sinnvolle Anwendung wäre die gate-Ansteuerung innerhalb Voll-Resonanz-Konverters in phase shifted ZVS Vollbrücken-Schaltung.

Ähm...... ja gut und auf deutsch für nicht so dermaßen Fachwissende?^^
 
Also gut zurück ans Zeichenbrett...... ich meld mich wen ich was hab
 
Zitat:Original geschrieben von 3eepoint

Hab mir doch gedacht das das n Haken hat......


Eine sinnvolle Anwendung wäre die gate-Ansteuerung innerhalb Voll-Resonanz-Konverters in phase shifted ZVS Vollbrücken-Schaltung.

Ähm...... ja gut und auf deutsch für nicht so dermaßen Fachwissende?^^

Das ist halt eine bestimmte Sorte von Schaltwandlern,
die schätzungsweise ab Leistungen jenseits 400W überhaupt eine Rolle spielen. Ziemlich abgefahrene Technik.
Das kommt aber erst im Schaltnetzteil-Leistungskurs dran!
Tongue
...mit der Lizenz zum Löten!
 
Ich seh da wieder [kA]. Dass ich die Versorgungsspannungen nicht entdecken kann, ist ätzig.

Ich seh aber, dass L1 auf Masse geschaltet ist. Also Dauerstrom im unteren MOS. Und wenn dann der obere noch dazu einschaltet.... britzel.
 
So da bin ich wieder,
mal schaun was ihr davon halted
[Bild: 1482_Simu11.jpg]
Leider kan ich die Verbindungen nicht messen wen ich sie beschrifte, keine ahnung warum;think
Also
Grün=Treiberspannung
Rot=Komparatorspannung
Blau=Strom über Q3
Über R5 lässt sich die Verstärkung einstellen was hier zwar nicht viel bring (ausser das ich das teil damit auf die Betriebsspannung bringen kann)
Ich versuch mich mal an der Schaltungsbeschreibung um sicher zu stellen das ich das was ich da gemacht habe auch verstanden hab^^

Also: In der Positiven Halbwelle Schaltet Q1 und Q4 leitend.Durch Q4 wird die Basis von Q3 auf masse gezogen und Q3 schaltet durch da volle 30V Potentialunterschied an der Basis herschen. Nun wird das Gate des Mosfet mit 30V geladen und wird leitend. Bei der negativen Halbwelle sperren Q1,3 und 4 und Q2 wird leitend und entlädt das Gate gegen Masse.

Na dan mal los ;pop;corn;
 
Zitat:Original geschrieben von 3eepoint
Na dan mal los

1. wozu brauchst Du U2?

2. Q1 kannst Du ersatzlos wegnehmen

3. der Q2-Zweig bewirkt, dass Deine Gate-Spannung nur bis GND sinken kann. Du willst aber doch gewiss tiefer kommen, oder?

4. Q3 und Q4 sind korrekt. R1 UND R4 ist aber irgendwie doppelt gemoppelt.

-------

Dir fehlen noch folgende Transistorgrundlagen:

1. Restströme vs. Temperatur

2. Durchbruch der BE-Diode
 
1.U2 hatte ich bisb jetzt in den Comperatorschaltungen immer gesehen und deshalb mit eingebaut
2.Is gemacht
3.Ich schreib jetzt wahrscheinlich was falsches aber das soll der Treiber für die high side werden und wenn das gate auf 0 sprich Masse ist ist der Fet komplett dicht, tiefer müsst ich für die lowside.
4.Erledigt
---------------

1.Hört sich nach nen spannenden Kampf an^^

2.Ok entweder beschreibt das den Moment der Zerstörung selbiger oder den Moment wann sie leitend wird ich denk aber mal die erste wariante......
 
Das Gate der highside muss genauso weit runter, wie die Source der highside, wenn Du den highside MOS gesperrt halten willst. Und da die Source der highside von dem lowside-MOS voll auf -Ub gezogen werden kann, weißt Du ja auch, wie weit das Gate runterkommen muss... Wink

-------------

BJT: einfach mal in die Datenblätter Deiner Transistoren gucken. Da stehen alle zulässigen Spannungswerte drin. Auch die höchstzulässige Sperrspannung der BE-Diode (so um 6V).

 
Ah , ok logisch werd mich mal dran machen das zu ändern , der positive teil funkt ja ^^ da werd ich das in der anderen Richtung auch schon irgendwie geregelt bekommen.
-------------
Ok, hier steh ich aufm Schlauch, ich nehm jetzt mal an das du mir damit sagen wilst das die BE STrecke (wo die Diode ja drin liegt) nur eine bestimmte Spannungsdifferenz zwischen Basis und Emitter aushält, wäre net wenn du das weiter erläutern könntest.....
 
Wenn Dein U2 minus 15V rausfeuert, so liegt zwischen Basis und Emitter von Q4 eben diese (Sperr)-Spannung. Da das nicht zulässig ist, wird Q4 gehimmelt.
 
also entweder mit der Spannung vom comp runter oder Q4 vor der Halbwelle schützen richtig ?
 
Genau.
 
So da bin ich wieder.......
Hier der neue Schaltplan:

[Bild: 1482_Simu13.jpg]
Habs mit den 2 Mal N-Channel aufgegeben da das so nicht hinhauen kann, also jetzt komplimentär.
Außerdem hab ich jetzt mal "echte" BJT`s eingesetzt (also keine Idealen wie zu anfang), sind einfach nur typen die die Spannung und den Strom abkönnen, welche ich später nehme mus ich nochmal schaun, die Endmosfets werden 2SJ201/2SK1530 es sei den ihr habt da ne bessere Idee.
Für Tips für die anderen BJT`s wär ich auch dankbar.
Die Spannung von U1 liegt jetzt übrigens bei 3.5V also sind Q1 und 4 sicher

Grün=Ausgangsspannung
Blau=Strom über den oberen Fet

Wo ich jetzt nicht weiter weiß ist der Ausgangsfilter, hab in Spice mal mit nem einfachen 12dB Tiefpass experimentiert der auf 10Khz abgestimmt war aber da kam nicht wirklich was raus. Könnt ihr mir da mal n paar Infos geben ?

MFG Chris