Member
Beiträge: 10.599
Themen: 355
Registriert: Jul 2012
;deal2 Die leider alle belegt sind. Darum gibts ja diese Veränkungen.
Ich seh übrigens, dass der 5209 mehr Querstrom aufnimmt, wenn der Enable-Pin ganz tief auf Masse gezogen wird. Bis zu 8uA.
Member
Beiträge: 10.599
Themen: 355
Registriert: Jul 2012
Das ist mir auch schon angefallen, du weisst sicher warum?
Gut.. wie auch immer. Diese Vdd-Abschaltung müsste man ggfls. noch mal ganz genau durchdenken. Unbedingt auch mal messen. Wenns um Nano- und Mikroampere geht, würde ich den Datenblättern nur noch bedingt trauen. Da fließt manchmal Strom über Pins, an die man gar nicht gedacht hat.
Member
Beiträge: 10.599
Themen: 355
Registriert: Jul 2012
Ja, ich mess erstmal.
Danke.
Member
Beiträge: 10.599
Themen: 355
Registriert: Jul 2012
Ich hätte folgenden Vorschlag anzubieten. Mit MOSFETS will es nicht so richtig.
Die Stromaufnahme ist für ein Sinuseingangssignal mit 1kHz, 4Vpp bei 2Voffset. Ohne Signal vom Generator "fliesst" kein Strom.
R4 = Innenwiderstand der Quelle, D1/D2 Eingangschutzschaltung ADC.
So sieht das dann aus, drückt noch minimal durch?
Datenblatt JFET:
http://www.onsemi.com/pub_link/Collatera...9LT1-D.PDF
Member
Beiträge: 15.902
Themen: 70
Registriert: Jul 2009
Das ist imho ein selbstleitender JFET - den kriegst Du nur mit mehreren Volt neg gate-source-Spannung gesperrt.
...mit der Lizenz zum Löten!
Wenn Du +5V ans Gate anlegst, dann fließen 5uA aus Deinem LDO nach Masse, wenn der Sensoreingang auf low liegt..
Und wenn Du 0V ans Gate anlegst, dann ist Q1 bis zum +3V am Eingang ziemlich gut leitend, weil er erst darüber gut sperren kann. Das bezeichnest Du als "minimal durchdrücken". Gerade bei +2.4V leitet er noch recht gut.
Member
Beiträge: 10.599
Themen: 355
Registriert: Jul 2012
Hmm, das Signal kommt ja sauber durch. Wenn ich das Gate auf "0" setze", sieht man da noch diese ~0.1V.
Ein bischen komisch ist das schon, vergrößert mal R2, geht das Signal nicht mehr bis 0 herunter.
Wahrscheinlich keine richtige Lösung.
Ich hatte es doch in #31 erklärt. Selbst wenn Du 0V ans Gate anschließt, so sperrt der FET erst, wenn der Sensor-Eingang +3V übersteigt. Darunter (also von 0V bis +3V) ist der FET nicht vollständig gesperrt.
Um ihn richtig zu sperren, müsstes Du eine negative Spannung ans Gate legen, wie Volti schon schrieb.
Member
Beiträge: 10.599
Themen: 355
Registriert: Jul 2012
Ich glaube du übersiehst du verschiedenen 0-Pegel beider Signale.
Eingangssignal ist Rot, Ausgangsignal Grün.
Ich aber ich blicks nicht, weil man "negativ" betrachten muss.
Member
Beiträge: 10.599
Themen: 355
Registriert: Jul 2012
Es scheint irgendwie nur einen Chip zu geben, der macht, was gewünscht ist.
->
http://www.analog.com/en/switchesmultipl...oduct.html
"Analog switch with power off protection". Das Teil ist, wenn stromlos, wirklich aus. (weil u.a. ohne Klemmdioden)
Leider wird aus dem Datenblatt nicht ersichtlich wie das funktioniert.
Die Chips sind in Kleinmengen allerdings zu teuer. >7?
Ich versteh nicht, was Du meinst. Der rote kanal ist doch um 2 Div nach unten verschoben. Was sind da "verschiedene 0-Pegel"?
Member
Beiträge: 10.599
Themen: 355
Registriert: Jul 2012
Das meine ich, ja.
Du schreibst:
Zitat:Ich hatte es doch in #31 erklärt. Selbst wenn Du 0V ans Gate anschließt, so sperrt der FET erst, wenn der Sensor-Eingang +3V übersteigt. Darunter (also von 0V bis +3V) ist der FET nicht vollständig gesperrt.
So wie ich das sehe, sperrt er unter 3V und drückt über 3V noch durch.
Uff....
Die Spannung zwischen Gate und Source (oder Drain - die sind vertauschbar) muss mindestens -3V betragen, damit der FET sperrt.
Diese Bedingung wird erst erfüllt, wenn der Eingang über +3V ansteigt.
Member
Beiträge: 10.599
Themen: 355
Registriert: Jul 2012
Ja, darum ist die Amplitude am Ausgang auch größer 0V, wenn das Eingangssignal größer 3V ist. Weil er dann mehr sperrt.
Edit:
Bin ich "blöd" oder die Simulation?