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Ist mir nur mal so durch den Kopf gegangen (d.h. ohne jegliches kritisches Hinterfragen) : Vielleicht funktioniert Guckis "Zweispultrick" auch mit einem gemeinsamen Kern.
Etwas ähnliches wie unter "einen hab ich noch" gab es damals von Brian Attwood: Er benutzte eine Anzapfung an der Spule (nahe am heissen Ende) um die FETS anzuschliessen und die Freilaufdioden wurden direkt am heissen Ende angeschlossen. Dieser Spartrafo sorgt dafür, dass die Inversdioden nicht leiten (da das Rechtecksignal an den Freilaufdieoden nun eine höhere Amplitude als das Ausgangssignal der Schaltstufe aufweist). Da man aber die gewünschten Uebersetzungsverhältnisse meistens nicht hinkriegt (d.h. "ü" müsste sehr nahe bei 1 liegen, sonst gibt's Probleme) hat er dann noch zusätzlich einen Seriewiderstand zu den Dioden benutzt.
Die Schaltung mit den zwei kleinen Drosseln hat er übrigens vor etwas mehr als 20 Jahren auch schon vorgeschlagen.
Irgendwo auf diesem Forum befindet sich noch mein Vorschlag mit den kleinen Drosseln zu einen Spartrafo verschaltet (d.h. eine Spule mit Mittelanzapfung). In der Praxis habe ich es (noch) nicht ausprobiert aber mit P-SPICE sah es nicht schlecht aus. Meine Idee war, einen Amp zu bauen, der kein Totzeit benötigt und bei dem der Reverse Recovery Strom der Inversdioden auf "vernünftige" Werte begrenzt ist.
Gruss
Charles
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Ich bin mir ziemlich sicher, dass die magnetische Kopplung der
beiden Drosseln nicht zum Ziel führt.
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Zitat:Bis auf den Widerstand ist das nach Deiner Schilderung nicht nur "ähnlich", sondern "exakt gleich".
Jetzt wo Du es sagst ........ ! Ich habe das Statement K1 ..... übersehen.
Zitat:Ich bin mir ziemlich sicher, dass die magnetische Kopplung der
Glaube ich inzwischen auch. War halt so ein Gedankenfurz.
Gruss
Charles
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ich hab mal vorübergehen nen anderen Ansatz verfolgt:
negative Vorladung des Gates, war ja schon im gespräch...
https://stromrichter.org/d-amp/content/i..._prob7.png
https://stromrichter.org/d-amp/content/i..._prob8.png
Ergebnis: ich hab immer noch Spikes von 3.8A auf 10ps
und Ja, der Millereffekt schlägt zu, das gate geht von -5V auf -3V
der FET ist also deutlich nicht leitend
Wenn ich das richtig sehe sind die Stromspitzen dann von den Ausgangskapazitäten der FETs ausgelöst?
Da kann ich ja lange versuchen das Gate in der Spannung unten zu halten und die Backdiode zu deaktivieren...
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In der Tat erscheint genau das plausibel. Mit anderen Worten:
Schnelles Umschalten ganz ohne Stromspitzen gibt es garnicht!
Die Ladungen Qdg und Qds müssen nunmal umgeladen werden, so oder so!
Diese kapazitive "shoot-through" Stromspitze ist von Natur
aus eher harmlos, führt allerdings zu erhöhten Umschaltverlusten.
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Nungut, also die Negative Getevorladung is nich das Problem,
muß ich halt 1-2 Hilfsspannunngen mehr anbaun,
hab ja eh grad inner UNI n haufen 2x6V 0,4A Trafos abgestaubt
Jezt würde ich nur noch gerne 2 von den 4 Schutzdioden Einsparen...
@ Bastler: du sagtest was von SICs-Dioden welches modell nimmste denn?
Meine Suche im Netz endete irgendwie bei Rumschlenderei ohne konkretes Ergebisss
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Wie Gucki schrieb ... hab selber noch kein nutzbares Modell für die Infinion SiC gefunden
... aber auch nicht wirklich gesucht.
Ich hab bisher noch nicht probiert nen kompletten DAmp zu simulieren, mir langte nen einfaches Modell (Vsw als Fet). Hauptsächlich um die Feedbackschleife um die Endstufe zu legen ... also augenmerkt mehr auf Kompensation der Phasenspielereien vom LC-Filter (teilweise mit 2 LCs).
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also die UPSC600 is viel zu schlecht.
Bei 0.8 Volt fließt da garnix ...
Jepp... seh ich auch so. Hat noch nie jemand überprüft. Sehr gut.
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Wenn ich es richtig verstehe, geht es mal wieder um die
externen Anti-parallel-Dioden an den DS-Strecken der
Power-MOS-Transistoren.
Die prinzipielle Frage ist doch: braucht man die wirklich?
Es gibt nur einen Grund dafür, nämlich die paraisitäre
diode/bjt-Strukturen vor Durchbruch zu schützen im
Falle der Kommuntierung, d.h. "Zwangssperrung" derselben
nachdem sie während der Totzeit leitend geworden sind.
Dazu wäre anzumerken, dass die Empfindlichkeit der PowerMOSFETs
gegen diesen Effekt infolge technologischen Fortschritts
inzwischen erheblich geringer geworden ist. Motor dieser Entwicklung
war wohl der Bedarf an robusten Motor-Brückensteuerungen.
Wenn man die Specs der Hersteller genau liest, finden sich
Hinweise wie "geeignet für Brückenschaltungen" oder eine
zulässige Spannungsrate über der drain-source-Strecke
von 5V/ns oder mehr.
Abgesehen davon bleibt das Parallelschalten externer Dioden
eine unsicher Sache. Zum einen ist die Flußspannung der
externen Diode óft kaum niedriger als die der interen,
dazu kommt die Notwendigkeit einer extrem induktionsarmen
Verbindung, die kaum praktikabel ist.
Von daher halte ich es für sinnvoller
nach moderneren PowerMOSFETs mit besseren intrinsischen
Dioden Ausschau zu halten,
z.B Infineon CoolMOS, neuere IRF-, Fairchild- Ixys oder ST-Typen.
Es gibt sogar sog combos mit integrierten Schottky-Dioden.
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Für kleinere Leistungen scheint IRF510Z interessant zu sein mit trr = 35 ns.
Gruss
Charles
Edit: War natürlich IRF540Z gemeint !!!
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@Gucki
Das ist mir schon klar, nur sind diese 4Dioden/pro Halbbrücke
imho verzichtbar, zumal gerade bei niedrigeren Betriebsspannungen
zusätzliche Durchflußverluste den Wirkungsgrad verschlechtern.
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Ich hab den Irrsinn gemacht ... zum testen.
http://d-amp.org/include.php?path=forum/...ntries=120
Zumindest hat die Schalterei nicht mehr soviel Theater gemacht.
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is das im DIY Bereich?
hab da leider keine Berechtigung ...
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Öhm .. sorry, das würde auch mehr verwirren als helfen, galt voltwide.
Habs mit +4 Dioden als Test zu laufen ... bei derzeit 150V (+-75V).
Berechtigung kommt bestimmt bald ... sei froh das du die Schaltung noch nicht siehst ... danach hat man idR. kein Bock mehr
Ich übrings im Moment auch nicht ... das liegt seit April in ner Ecke und wartet auf schlechtes Wetter, weil argh zeitintensiv.
BTW:
Und ist definitiv nicht mehr simulierbar
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