[Basstler]

Nabend alfsch...
#35 vom 07.12.2007 - 02:27

Wenn ich um diese Zeit noch wach bin entweder weil ich auf ner Party bin, oder weil ich massive Schlafprobleme habe.

Hut ab, um diese Zeit noch am Oszi.
Würde ich nicht schaffen, momentan frisst mich mein Job schon völlig auf (besser den Kopf ), aber es macht spass*.

Spiele bald wieder mit !
Es besteht sogar die Möglichkeit, dass ich mir für den "Urlaub" mal ein Tektronix Oszi ausleihen kann, 4 Kanäle 200MHz. Ist zwar eins der nicht so teuren (TDS2024), aber besser als mein 20MHz Hameg.
Im Labor steht auch ein dickeres Agilent, könnte ich mal nach Feierabend mit messen....

*...zu sehen, was für witzige Designfehler selbst erfahrende Ings bauen. Bsp. 1N4007 als Snubberdiode oder Transildioden mit 1,6nF Kapazität am CAN-Bus (schwing....).

[alfsch]

für alle fans des irf640
wieder einer auf der opferbank...aber nach dem blipp gestern...nachgedacht...könnte an gatebeschaltung (5r nach source) liegen: wenn diode abschaltet > gewaltiger sprung der spannung > über Cgd kommt was aufs gate > oberer fet = eigentlich nur als diode > schaltet kurz voll ein...der untere is aber schon voll an..aua
also gate mal hart mit source verbunden:

hor: 0,5us/div v1: 5v/div am gate v2: 10A /div

bei 120V ! ha! 40A peak überlebt
immerhin rund 5kW peak verlust

is wie dose der pandora

wieder nettes detail: gatespg geht beim abschalten der diode fast 5v negativ...das sind rund 12+5= 17v neg.spike

+rätselhaft: die gate-treiber-spannung is nach dem paek eindeutig runde 2v höher!!!!
woher kommt die energie? das gate is noch intakt...aber irgendwas "pumpt" die +12v hoch

ps - 02:27 überrascht naja, musste ich einfach noch versuchen, war nach dem stammtisch noch "aufgedreht"

[Basstler]

Zitat:Original geschrieben von alfsch

jo...
hier mal lustige backdiode:
stb19nb20 (200v, 20a, etwa wie irf640)

+ eigenartig: (bin grad in killerlaune) bei 100v nur 40A peak..warum jetzt nicht mehr?? (forschung nötig...

+ man beachte den spike im gate-signal, beim abschalten der diode, der geht unter 0v runter! trotz gate treiber auf +12v ! hier geht was ab...nur was genau

1. + Bremst die Induktivität ??? Vom Aufbau....geht ja alles recht fix...
Oder "Macke" weil di/dt bzw. du/dt zuviel für Oszi + Tastkopf ? (sind ja bei den Flanken schon GHz Oberwellen)

2. hemmmm...die Kapazitäten (Drain-Gate, Gate-Source) ? Da zucken hohe Ströme und Spannungsänderungen. Theorie....

Aber das weisst Du ja eh...

Bin mal auf die neuen Treiber gespannt, die IRF20955. Vorallem der Überstromschutz.

[Basstler]

Zitat:Original geschrieben von alfsch

+rätselhaft: die gate-treiber-spannung is nach dem paek eindeutig runde 2v höher!!!!
woher kommt die energie? das gate is noch intakt...aber irgendwas "pumpt" die +12v hoch

Partiell gestorben ? Was sagt die Gatespannung wenn Variac auf 0% ?

Zitat:Original geschrieben von alfsch
ps - 02:27 überrascht naja, musste ich einfach noch versuchen, war nach dem stammtisch noch "aufgedreht"

Hehe, nach sowas traue ich mich nicht mehr an Strom...

[alfsch]

nee, gestorben is da nix...der kuriose effekt tritt auch mit ner mittelschnellen (200ns) diode auf, also kommt irgendwie energie vom gate , bleibt nur Cgd als "quelle"; nur warum tritt das nur unter bestimmten umständen auf
jedenfalls hängts mit dem abschalt-verhalten der diode zusammen, egal ob fet(back-) oder normale diode
teste noch mal mit schneller diode und ganz schnöder 1n...mal sehen, was das tut ...

+ wenne tek bekommst, bau dir vorher den tester...damit auch was sinnvolles zu sehen is

+ ir20955 (was kostet..? will ca 4 erstmal) mit dem teil solls einige probleme geben, speziell durch seine schutzschaltung, da die abschaltet, wenn fet nach 200ns nicht voll on is, oder zuviel strom zieht (meine tests...mit so einem fet würde das teil nur noch abschalten )

+ indukt.(=hier einige mm draht) bremsen immer , habe versucht , so "schnell" wie möglich strom zu liefern...2x 1,5uf mkp parallel, dazu 1,5uf ker. smd, nur mit dem "geht was" , ohne viel resonanzen; die mkp sind einfach mechanisch schon so gross, dass die resonanz nicht zu vermeiden ist..

hier noch etwa gleiche bedingungen: 125v ub, mit byv29

der peak liegt bei 30A , also nicht so viel anders, aber das "hochpumpen" der 12v tritt nicht oder kaum auf
muss also irgendwas "spezielles" sein...

so: test mit 1s...(irgend ne netzdiode, ca 200ns)

offenbar tritt das pumpen eher mit langsamen dioden auf...
kurz getestet: sogar direkt am treiber +2v, die 12v betriebs-spg bleiben aber konstant; also "kommt" tatsächlich der saft vom gate...aber nur, wenn das andere bauteil ne langsame diode is...

achja: noch nicht gezeigt: test des testers
nicht indukt. widerstd. 10 ohm , bei 100v geschalten

(10A on in ca 20ns, off ca 50ns ...geht so lala

[alfsch]

so..lang erwartet
die "neuen"...
irf540z backdiode, bei 100v

der is wirklich schnell

und der irfb4227 , auch bei 100v

immerhin deutlich schneller als irf640n, für dieses "monster" nicht übel

ala db: pulse peak 260A...ob ich den auch killen kann?

[Basstler]

Naja, peak ist ja recht kurz...Fet wirds wohl überleben.
Mache mir inzwischen mehr Sorgen um die EMV...

JA, Fet Tester wird mal gebaut, sind ja bald Feiertage.

[killma$ter]

Zitat:Wieso laufen die MOS "beschissen", killmaster? Es ist doch alles gut.

Rumgucker, mir ging es um die Gatespannung, ist diese zu gering und der gatewiderstand zu groß, entstehen schwingungen im ghz bereich.
deswegen könnte man evt. mit der Spannung hochgehen.
Bei meinen Class-D Amps wird mit 17,5 Volt an Gegentakttreibern gefeuert.

@alfsch, wieso sagst du nichts mehr? Bin ich dir dumm gekommen?

@alfsch, kannst du vielleicht nochmal die skizze von deinem mostester reinstellen
Danke

[sixtas]

@Alfsch

Super Doku,
hier kann ich was lernen!

Danke,danke,danke

Mike

[killma$ter]

@alfsch

ui, habe jetzt auf einer Seite ganze unten, die skizze gefunden, super

Meine frage, mit den steuertransistoren hat sich auch erledigt, du verwendest ja einen Driver.

Bis dann

[alfsch]

#killma$ter ich sag schon was...nur zu deinen 2 fragen kamen mir nur etwas böse antworten in den sinn, so ala: kanndu lesen? oder is die zeichnung zu klein? --- daher hab ichs mir verkniffen

#basti naja, emv ...was war das gleich?
im tester is bislang gar nix mit snubber etc.
der test is ja erstmal, was geht und was passiert so überhaupt...die resonanzen sind ja kaum zu übersehen ;deal2
aber hier emv sorgen zu haben, bringt nix, erst beim aufbau eines amp wirds dann wichtig

bzgl back-peak wird ...nicht mehr grösser: grübel...vmtl liegts an der eigenschaft der diode, eine best. ladung zu speichern, zb 100nC , is die erstmal raugepumpt, passiert eben nix "schlimmeres" mehr

nur das hoch-pumpen durch langsame dioden rätselt mich noch etwas...wie soviel energie durchs gate zurück kommen kann
schon erstaunlich

bis jetzt war der aktive fet ja der 640n, jetzt isses zeit mal die anderen ranzunehmen

[Basstler]

BTW:
2:14, Party...Verstärker hat wumm gemacht.

Subwoofer geht noch, Links rechts haben sich gekillt...die bösen MBR hat zerlegt und den fet gegenüber...

Holle grade ersatzteile...nur noch 2 fets
Hoffe die langen...
Bis demnächst

[Rumgucker]

Zitat:Original geschrieben von Basstler
BTW:
2:14, Party...Verstärker hat wumm gemacht.

Was? Dein Riesen-System? Das ist ja ein Desaster. War das der erste Dauertest?

[Basstler]

Zitat:Original geschrieben von Rumgucker

Was? Dein Riesen-System? Das ist ja ein Desaster. War das der erste Dauertest?

Nee, eigentlich der min. 10. Dauertest, nur nie mit "verrückten" DJs, bzw. mit dem neuen Limiter....

Edith:

Also, der Limiter hat den Abgang hervorgerufen.
Nach Suche hab ich raus finden können, dass die 0dB max. Pegel sich auf den DA Wandler beziehen, also 0dBfs (fullscale) welches bei dem Gerät +4dBu entspricht...
Daher wurde der Verstärker um min. 2 dB übersteuert... ganz schlecht.
Aber der Defekt zeigt mir, dass der Amp noch nicht betriebssicher ist.
Übersteuerung darf NICHT zur Zerstörung führen !

[alfsch]

Übersteuerung...hier treten bei hoher last die "nebeneffekte" der back-dioden bzw schaltens bei hohem strom auf...
mit der wichtigste zweck des fet-testers, da im betrieb eines amps diese zustände kaum zerstörungsfrei zu testen sind, ohne test aber wenig bzgl betriebssicherheit bekannt ist ;deal2

btw, was hab ich bis jetzt gelernt:
* der shoot durch die back-diode selbst scheint den mosfets gar nicht so viel auszumachen, wie ich dachte; aber der nebeneffekt -blitzartiger spg.anstieg danach- killt die teile ganz zwanglos
* gate-beschaltung kann "leben retten"
* verhältnis Cgs/Cgd ist wichtiger faktor : bei extrem steilem dV/dt ergibt sich unvermeidlich (!) ein kapazitiver spannungsteiler, zb bei irf640n bei 10v Vds: 1250p/250p = 5 ; steigt also spg am drain um zb 20v, gibts am gate 4v :: das schaltet den fet in den aktiven bereich! unvermeidlich...

z vgl: ...........bei 10v Vds .......................und bei 25vds:
irf640n 1250p/250p = 5......--> kritisch ab 20v !!!...110v
irf540z 1700p/120p = 14.....--> kritisch ab 60v .......70v
irfb4227 4700p/200p = 23.....--> kritisch ab 100v .....200v

ein 540z "verkraftet" somit etwas mehr, ein 4227 2x..5x soviel spannungs-anstieg wie ein 640n, bis er "unabsichtlich" aktiv wird (macht hoffnung für zukünftige amps mit den "richtigen" fets )

+ "kritisch" soll sein: bis hier kann wild+grob geschaltet werden, aber ab dieser spg muss dV/dt kontrolliert dh auf ein verträgliches mass reduziert werden ;deal2
+ was verträglich für den fet wird, hängt von seiner gate-beschaltung ab
+wo dv/dt real kritisch wird, wird wohl nur ne messung zeigen
+im editor ne tabelle machen...ein drama

[Rumgucker]

Einen MOS mit Brücke zwischen Gate und Source kriegst Du mit keinem halbwegs realistischen dV/dt eingeschaltet.

Deine Spannungsteiler-Rechnung gilt nur für ein unbeschaltetes Gate. Ist der Treiber jedoch in der Lage, heftige Stromspitzen zwischen Gate und Source möglichst niederohmig kurzzuschließen, so wäre von der Seite her alles gut.

BTW: ist Cds nicht sogar eine Funktion der anliegenden Spannung?

[alfsch]

gucki, Cds hängt schon von Uds ab - klar. das macht das ganze eben so komplex, dass ne simu nie stimmt, weil das model nicht stimmt

Spannungsteiler-Rechnung gilt nur für ein unbeschaltetes Gate...jo

Zitat:Ist der Treiber jedoch in der Lage, heftige Stromspitzen zwischen Gate und Source möglichst niederohmig kurzzuschließen, so wäre von der Seite her alles gut

wäre is das stichwort...der erste 640n hat sich ja dezent verabschiedet, bei 5 ohm g-s , ein treiber wie 2110 hat intern etwa 6 ohm....womit eigentlich alles gesagt is ;deal2
i.ü. müsste man erstmal testen, ob ein extra pnp transistor einen 20ns+12A peak "schlucken" kann, ohne >4V am gate ....zumal die meisten mosfet poly-gates haben, das gate hat hier intern schon etwa 3 ohm.
somit muss eben die dv/dt im kontrollierbaren bereich gehalten werden

[Rumgucker]

4 Volt / 11 Ohm = 0.36 A .... hmmmm...

...was wäre, wenn man bei off ne negative Spannung (- 20 V) aufs Gate geben würden?

24 V / 11 Ohm = 2,18 A


Problem: die Treiber-Schaltung wird anders, als die Fixfertig-ICs das anbieten.

[Rumgucker]

Um mit konventionellen Treibern auszukommen, könnte man wieder mit ner Reihenkapazität und ner Zenerdiode zwischen Gate und Source arbeiten, ähnlich wie bei Deinem "Cheap".

[alfsch]

Zitat:wenn man bei off ne negative Spannung (- 20 V) aufs Gate geben würden?

jup, das wird imho bei umrichtern usw zt gemacht, dadurch schaltet der fet/igbt schneller+sicherer (!) ab
leider muss dann die treiberschaltung selbst gebaut werden, bzw es wird auch noch eine neg. spg für den gate-treiber (oben+unten, dh 2 nötig...was den treiber deutlich komplexer macht..../there is no free lunch/