23.07.2010, 12:03 PM
Ich frag mich gerade ob man mit einer MOS-Tetrode nicht auf simpelste Weise x-beliebige und variable Kapazitäten oder Induktivitäten erstellen kann.
Prinzipiell eine übliche Reaktanzschaltung.
Nur eben mit dem Vorteil der großartigen Steuerungsmöglichkeiten einer MOS-Tetrode.
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In der Praxis nehm ich nen BF1009. Am g2 liegt die Steuerspannung (zwischen 1 und 3V). Und zwischen g1 und Drain eine Kapazität, die von der Tetrode entweder verstärkt oder vermindert werden kann. Mehr ist bei dieser Tetrode nicht nötig, weil sie "self biased" ist.
Wenn ich ne stellbare Induktivität haben will, dann kommt die Kapazität zwischen g1 und Source und zwischen g1 und Gate ein Widerstand.
Alles uralt udn bewährt. Nur eben nicht im Zusammenhang mit einer MOS-Tetrode. Jedenfalls finde ich im Netz nichts, was aber auch den Grund haben kann, dass es einfach nicht funktioniert....
Prinzipiell eine übliche Reaktanzschaltung.
Nur eben mit dem Vorteil der großartigen Steuerungsmöglichkeiten einer MOS-Tetrode.
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In der Praxis nehm ich nen BF1009. Am g2 liegt die Steuerspannung (zwischen 1 und 3V). Und zwischen g1 und Drain eine Kapazität, die von der Tetrode entweder verstärkt oder vermindert werden kann. Mehr ist bei dieser Tetrode nicht nötig, weil sie "self biased" ist.
Wenn ich ne stellbare Induktivität haben will, dann kommt die Kapazität zwischen g1 und Source und zwischen g1 und Gate ein Widerstand.
Alles uralt udn bewährt. Nur eben nicht im Zusammenhang mit einer MOS-Tetrode. Jedenfalls finde ich im Netz nichts, was aber auch den Grund haben kann, dass es einfach nicht funktioniert....