*Grummel*
Naja... dann zumindest kein unnötiger 120 Ohm pullup. Sonst krieg ich Pickel.
Notes:
C1 muss vom MOS entladen werden. Wie bisher bei Euch ja auch. Dafür ist der MOS gebaut. In allen anderen Fällen würde der Unterbrecherkontakt mit dem C1-Strom belastet werden.
Wenn der 1k Gatewiderstand (R1) die Schaltverluste im MOS zu sehr steigert, kann man ihn auch durch 100 Ohm ersetzen.
Wie schon beim PTC ist das langsame Abwürgen des MOS wichtig, damit kein falscher Funke beim Powerdown entsteht.
Der 4.8V-UVLO des MOS ist auch kein Drama. Zwar überwacht nun keiner die dabei steigende MOS-Temperatur. Aber das hier implementierte Timeout sorgt dafür, dass der MOS zumindest nur eine Sekunde lang leiden muss. Im schlimmsten Fall können während dieses timeouts im MOS 3 Watt umgesetzt werden.
Auf den LED-Kreis darf nicht verzichtet werden.
Der NFET kann nicht durch einen MOS ersetzt werden. Ich brauche die Diodenfunktion des Gates.
Naja... dann zumindest kein unnötiger 120 Ohm pullup. Sonst krieg ich Pickel.
Notes:
C1 muss vom MOS entladen werden. Wie bisher bei Euch ja auch. Dafür ist der MOS gebaut. In allen anderen Fällen würde der Unterbrecherkontakt mit dem C1-Strom belastet werden.
Wenn der 1k Gatewiderstand (R1) die Schaltverluste im MOS zu sehr steigert, kann man ihn auch durch 100 Ohm ersetzen.
Wie schon beim PTC ist das langsame Abwürgen des MOS wichtig, damit kein falscher Funke beim Powerdown entsteht.
Der 4.8V-UVLO des MOS ist auch kein Drama. Zwar überwacht nun keiner die dabei steigende MOS-Temperatur. Aber das hier implementierte Timeout sorgt dafür, dass der MOS zumindest nur eine Sekunde lang leiden muss. Im schlimmsten Fall können während dieses timeouts im MOS 3 Watt umgesetzt werden.
Auf den LED-Kreis darf nicht verzichtet werden.
Der NFET kann nicht durch einen MOS ersetzt werden. Ich brauche die Diodenfunktion des Gates.