20.11.2024, 11:20 AM
Der Betrag der Gartenspannung an dem der Temperaturkoeffizient der Gatespannung den des on-widerstandes genau aufhebt.
Unterhalb des punktes steigt der DS-Strom bei steigender Temperatur und konstanter DS- und GS-Spannung, weil UGS(th) stärker sinkt, als RDS(on) steigt.
Von außen nicht schlimm, aber das gilt im Chip für jede einzelne der vielen Parallelen Schaltzellen genau so. Dann heißt es, die die als erstes warm ist, übernimmt mehr Strom und läuft davon, schon lange bevor nennenswert Verlustleistung im Chip gelandet ist.
Klar, wenn die Leistung gering genug ist, wird auch die einzelne Zelle nicht zu warm, aber 8W sind auch 8W... Ich wäre da vorsichtig. Auf schalten optimierte FETs sind im linearbetrieb immer schnell im Eimer.
Unterhalb des punktes steigt der DS-Strom bei steigender Temperatur und konstanter DS- und GS-Spannung, weil UGS(th) stärker sinkt, als RDS(on) steigt.
Von außen nicht schlimm, aber das gilt im Chip für jede einzelne der vielen Parallelen Schaltzellen genau so. Dann heißt es, die die als erstes warm ist, übernimmt mehr Strom und läuft davon, schon lange bevor nennenswert Verlustleistung im Chip gelandet ist.
Klar, wenn die Leistung gering genug ist, wird auch die einzelne Zelle nicht zu warm, aber 8W sind auch 8W... Ich wäre da vorsichtig. Auf schalten optimierte FETs sind im linearbetrieb immer schnell im Eimer.