[E_Tobi]

Wenn der Schalter ein FET sein soll, würde ich auch lieber auf einen Treiber setzen. Das dürfte das ganze viel robuster machen, weil er den undervoltage lockout bietet und das Gate auch bei wildesten Spannungssprüngen am Drain niederimpedant unter Kontrolle hält.

Was Alfsch beschreibt, habe ich bisher auch noch nicht hinbekommen. Auch mit modernen FETs gepaart mit schnellen Dioden konnte ich (bei dauerbetriebsfähigen Strömen) nicht mal annähernd an die 100V/ns kommen, die den parasitären BJT zünden lassen.
War ua. ein 2kW-Boost-PFC, FET im 4-Pin-TO247 mit isoliertem 10A-Treiber, fsw um die 100kHz, getrimmt auf Wirkungsgrad - keine unnötigen Gatevorwiderstände, keine Snubber, >98%. Auch bei dem war so ca. bei 65V/ns dann langsam Sense, beim abschalten unter Spitzenstrom.

Die meisten FETs habe ich mit schlechter Gateansteuerung kaputt bekommen - kurze Impulse am Gatetreiber-Ausgang, die den FET immer wieder mal gerade so in den linearen Bereich schubsen, ausgelöst durch Störungen oder Oszillationen auf Überstromgrenzen, etc.. Oder zu hohe Impedanz im Gatekreis, die zulassen dass beim Spannungsanstieg am Drain das Gate kapazitiv bis an die Schwellspannung "mitgezogen" werden kann.


Ich würde als Schalter einen 650V-Transistor einsetzen, für eine gute Reserve bei maximaler Bordnetzspannung, kaputtem Zündkerzenstecker, etc..., aber trotzdem nicht auf den parallelkondensator verzichten. Den würde ich als NP0-MLCC oder belastbare Folie ausführen. Parallel würde ich einen Snubber einsetzen, um Die Oszillation nach dem "Leerlaufen" der Zündspule wegdämpfen zu können, oder ggf. auch, mit Hilfe der Streuinduktivität, die Spannungssprünge beim zünden.

Ich habe mal mit der Simulation gespielt und den 1EDN nachgebaut, wie ich solche Treiber "quick and dirty" normal modelliere.
Denke so in der Art würde ich die Schaltung bauen.