12.11.2024, 09:20 PM
Kritisch erscheint mir nach wie vor vor allem Abschalten hoher Ströme - die Last ist eigentlich immer "hinreichend" induktiv.
Beispiel 1
MOSFET mit Qds=50nC
Abschaltstrom = 50A
schaltet den MOSFET in 50nC/50A=1ns ab (worst case, ohne Miller Effekt)
Wenn Vds hierbei von 0 auf 300V hoch rampt, errechnet sich
Vds/dt = 300V/ns -> der parasitäre BJT zündet und es macht Bumm!
Beispiel2
MOSFET mit Qds=50nC
Abschaltstrom = 3A
schaltet den MOSFET in 50nC/3A=17ns ab (worst case, ohne Miller Effekt)
Klammert man auf 30V, folgt
dVds/dt < 2V/ns
Das sind natürlich nur ganz grobe Schätzwerte, um mal die Größenordnung zu skizzieren
Beispiel 1
MOSFET mit Qds=50nC
Abschaltstrom = 50A
schaltet den MOSFET in 50nC/50A=1ns ab (worst case, ohne Miller Effekt)
Wenn Vds hierbei von 0 auf 300V hoch rampt, errechnet sich
Vds/dt = 300V/ns -> der parasitäre BJT zündet und es macht Bumm!
Beispiel2
MOSFET mit Qds=50nC
Abschaltstrom = 3A
schaltet den MOSFET in 50nC/3A=17ns ab (worst case, ohne Miller Effekt)
Klammert man auf 30V, folgt
dVds/dt < 2V/ns
Das sind natürlich nur ganz grobe Schätzwerte, um mal die Größenordnung zu skizzieren
...mit der Lizenz zum Löten!