[alfsch]

Hi,
>Überstromzerstörung hatte ich bis dato immer mit Übertemperatur in Verbindung gebracht.<
Nööö - bei schnellem Spannungsanstieg gibts einige nette Effekte dazu, gratis quasi : 
- in Mosfet kannst zB eine neue "Schicht" erzeugen, dh , wenn das Ding (selbst !) beim Abschalten so schnell ist, dass die Ladungsträger aus der entstehenden Trennschicht nicht rechtzeitig rauskommen, bildet sich zufällig eine "Wolke" von Ladungsträgern und damit lokal eine "dotierte" Schicht, was einen Drei-Schicht-Effekt ergibt: es entsteht ein stromverstärkender Transistor, der seinen Job erledigt und einen heftigen Ladungsträger Strom erzeugt. Da zu dem Zeitpunkt schon hohe Sperrspannung anliegt, ist das lokal eine heftige Verlustleistung die einen punch-through erzeugt, es gibt quasi eine "anders" dotierte Stelle in der Schicht, die meist dauerhaft niederohmig ist. Das wars dann, mit dem MOSFET .
Kann auch bei Dioden passieren, wenn der vorwärts (!) Spannungsanstieg so schnell ist, dass eben die Ladungsträger eine "lokale" Wolke bilden und durch den hohen Strom eine lokale neue Dotierung machen, meist nen nahe-0-Widerstand ... 
(habe ich sogar mal bei einer (angeblich) super-schnellen 30A Diode geschafft, die wurde nicht mal spürbar warm - aber war schon tot. lautlos verstorben.   )
Also: mit steilen Strompulsen gibts "spezielle" Effekte, die erzählen die Hersteller nicht so gerne, aber bei neuen , super schnellen MOS oder Sic-MOS findest im db oft die Ruggedness , in V/ns : zb 120V/ns -> sagt dann: wenn beim Abschalten mehr als 120V/ns Steilheit produzierst, killt sich der MOS/Sic selbst.