[Rumgucker]

Zitat:Original geschrieben von Rumgucker
Der BJT hat also einen Rce von gerade mal 25 Milliohm. Das ist fast eine Dekade besser als zum Beispiel ein modern anmutender MOSFET IRF530 (Rds=160mOhm), der ähnliche Ströme und Spannungen verträgt.

Ganz so schlimm scheint ein IRF530 sich bei voller Durchsteuerung dann doch nicht zu verhalten....

Gemessen IRF530 mit Ugs=10V.

Id = -3 A: Uds = -260 mV
Id = -2 A: Uds = -155 mV
Id = -1 A: Uds = -76 mV
Id = 0 A: Uds = 0mV
Id = +1 A: Uds = +83 mV
Id = +2 A: Uds = +170 mV
Id = +3 A: Uds = +270 mV

Also eher was um 80 Milliohm. Und das sogar in beiden Stromrichtungen