03.06.2013, 07:00 PM
Ich möchte mal rumgucken, was unsere BJT-Entwicklung so die letzen 50 Jahre eigentlich hinbekommen hat.... 
Geschnappt hab ich mir einen AUY21, ein alter pnp-Germanium-Leistungstransistor von Siemens:
[Bild: auy21.jpg]
[Bild: AUY21K-2.JPG]
Bestromt hab ich ihn konstant mit Ib=500mA, wobei sich eine Basisspannung von Ube=500mV einstellte.
Der Spannungsabfall zwischen Kollekor und Emitter ist beeindruckend niedrig:
Ic=1A: Uce=37mV (selbstgemessen)
Ic=2A: Uce=50mV (selbstgemessen)
Ic=3A: Uce=74mV (selbstgemessen)
Ic=10A: Uce=220mV (Siemens Datenblatt, allerdings bei Ib=1A)
Der BJT hat also einen Rce von gerade mal 25 Milliohm. Das ist fast eine Dekade besser als zum Beispiel ein modern anmutender MOSFET IRF530 (Rds=160mOhm), der ähnliche Ströme und Spannungen verträgt.
Geschnappt hab ich mir einen AUY21, ein alter pnp-Germanium-Leistungstransistor von Siemens:
[Bild: auy21.jpg]
[Bild: AUY21K-2.JPG]
Bestromt hab ich ihn konstant mit Ib=500mA, wobei sich eine Basisspannung von Ube=500mV einstellte.
Der Spannungsabfall zwischen Kollekor und Emitter ist beeindruckend niedrig:
Ic=1A: Uce=37mV (selbstgemessen)
Ic=2A: Uce=50mV (selbstgemessen)
Ic=3A: Uce=74mV (selbstgemessen)
Ic=10A: Uce=220mV (Siemens Datenblatt, allerdings bei Ib=1A)
Der BJT hat also einen Rce von gerade mal 25 Milliohm. Das ist fast eine Dekade besser als zum Beispiel ein modern anmutender MOSFET IRF530 (Rds=160mOhm), der ähnliche Ströme und Spannungen verträgt.