02.02.2013, 11:37 PM
Nun ja, ein paar Volt muß man dem unteren MOSFET schon zubilligen, damit überhaupt die gate-source-Spannung des oberen MOSFET hinreichend geändert wird.
Das mit dem LoSide-Miller-Effekt ist wohl nicht so schlimm, da dieser einen wesentlich kleineren chip haben darf als der HiSide-Typ -
also kommt der LoSide MOSFET mit wesentlich kleineren Kapazitäten daher.
Solche Cascode-Schaltungen hatte ich durchaus schon mal ins Auge gefaßt
in Sperrwandler-Anwendungen. Hier wird bei maximalem Strom in möglichst kurzer Zeit abgeschaltet. Hab ich aber nie in die Praxis umgesetzt, weil in der Klasse unter 100W bekommt man die MOSFETS mit 1A-gate-Treibern rasch genug abgeschaltet.
Hinsichtlich des LLC-Konverters hat sich ja inzwischen herausgestellt, dass der Ein- und Ausschaltstress wg des Resonanzbetriebes eher gering ist.
Von daher spiele ich schon mit dem Gedanken, die Gate-Übertrager wegfallen zu lassen und mit einer Halbbrückentreiberschaltung das Ganze direkt anzusteuern.
Das mit dem LoSide-Miller-Effekt ist wohl nicht so schlimm, da dieser einen wesentlich kleineren chip haben darf als der HiSide-Typ -
also kommt der LoSide MOSFET mit wesentlich kleineren Kapazitäten daher.
Solche Cascode-Schaltungen hatte ich durchaus schon mal ins Auge gefaßt
in Sperrwandler-Anwendungen. Hier wird bei maximalem Strom in möglichst kurzer Zeit abgeschaltet. Hab ich aber nie in die Praxis umgesetzt, weil in der Klasse unter 100W bekommt man die MOSFETS mit 1A-gate-Treibern rasch genug abgeschaltet.
Hinsichtlich des LLC-Konverters hat sich ja inzwischen herausgestellt, dass der Ein- und Ausschaltstress wg des Resonanzbetriebes eher gering ist.
Von daher spiele ich schon mit dem Gedanken, die Gate-Übertrager wegfallen zu lassen und mit einer Halbbrückentreiberschaltung das Ganze direkt anzusteuern.
...mit der Lizenz zum Löten!