[voltwide]

Sicher hat sich die BJT-Technik graduell weiterentwickelt.
Homogene Energieverteilung über den chip heißt das Zauberwort
und bleibt das zentrale Problem der bipolar-Technik.
Je homogener das Material, desto geringer die Wahrscheinlichkeit
der Ausbildung von hot-spots im Falle von Impulslast.
Ein Problem, das MOSFETs prinzipiel aufgrund des entgegengesetzten
Temperaturkoeffizienten der Leitfähigkeit nicht haben.
Letztendlich sollte die SOA-Kurven
hinreichend Auskunkft geben, so dass man eine
realtitätsnahe worst-case Betrachtung machen kann.