[voltwide]

Ja, sieht erstmal erschreckend aus.
Aber bei +-75V Betriebsspannung kommt man um einen
gewissen Aufwand nicht herumkommen, allein schon
um bei den großen MOSFETs die korrekte gate-Ansteuerung
mit optimierten Totzeiten hinzubekommen.
Dabei dürften die Durchflussverluste der
Schottky-Dioden kaum ins Gewicht fallen.
Und btw, die Flußspannung der SiC-Diode
sehe ich in dieser Anwendung kaum als kritisch
an, da Verlustleistung nur während der kurzen
Totzeit ansteht, anteilig also kaum zu Buche schlagen sollte.