[voltwide]

Wenn ich es richtig verstehe, geht es mal wieder um die
externen Anti-parallel-Dioden an den DS-Strecken der
Power-MOS-Transistoren.
Die prinzipielle Frage ist doch: braucht man die wirklich?
Es gibt nur einen Grund dafür, nämlich die paraisitäre
diode/bjt-Strukturen vor Durchbruch zu schützen im
Falle der Kommuntierung, d.h. "Zwangssperrung" derselben
nachdem sie während der Totzeit leitend geworden sind.

Dazu wäre anzumerken, dass die Empfindlichkeit der PowerMOSFETs
gegen diesen Effekt infolge technologischen Fortschritts
inzwischen erheblich geringer geworden ist. Motor dieser Entwicklung
war wohl der Bedarf an robusten Motor-Brückensteuerungen.
Wenn man die Specs der Hersteller genau liest, finden sich
Hinweise wie "geeignet für Brückenschaltungen" oder eine
zulässige Spannungsrate über der drain-source-Strecke
von 5V/ns oder mehr.
Abgesehen davon bleibt das Parallelschalten externer Dioden
eine unsicher Sache. Zum einen ist die Flußspannung der
externen Diode óft kaum niedriger als die der interen,
dazu kommt die Notwendigkeit einer extrem induktionsarmen
Verbindung, die kaum praktikabel ist.
Von daher halte ich es für sinnvoller
nach moderneren PowerMOSFETs mit besseren intrinsischen
Dioden Ausschau zu halten,
z.B Infineon CoolMOS, neuere IRF-, Fairchild- Ixys oder ST-Typen.
Es gibt sogar sog combos mit integrierten Schottky-Dioden.