[Basstler]

oder ne Diode mit besserem Verhältnis Vf zu If finden (als parallele), hab bei mir SiCs drin (real Aufbau).

voltwide:

Zitat:-Aus der Pionierzeit stammt die Idee, das gate mit -10V~-15V zu sperren. Die daraus sich ergebende Barriere gegen Ladungsinjektion bietet perfekten Schutz selbst bei extrem schnellen drain-Spannungsprüngen.

Das geht gut, Todzeit bildet sich von selbst, da das Gate von weiter unten geladen wird (-5V -> Vthres.).
Alternativ hilft mitunter auch nen kräftiger, kleiner PNP als Zuhalter.

Gute Ideeenquelle -> Umrichterbauer ... leistungs IGBTs hab diese Problem auch ganz stark -> Miller Clamping