29.12.2008, 07:04 PM
Hallo Mario,
Deine Schaltung ist interessant - und hat mit der Patentschaltung nichts zu tun. Sie entspricht prinzipiell dieser hier:
http://www.passdiy.com/pdf/Build%20The%2...lotron.pdf
mit Ausnahme des Treibers, der bei Dir mit Röhre realisiert ist. Mit Spice und den dort zunächst identischen Bauteilen geht sie ganz passabel. In der Praxis haben beide Schaltungen dieselben Probleme:
1. Arbeitspunkteinstellung:
a) Die beiden Mosfets erhalten ihre Gate-Source-Vorspannung jeweils unabhängig voneinander über den Spannungsabfall über R17 bzw. R19, also letztlich abhängig vom Anodenstrom von U6 bzw. U7. Eine Röhrenalterung bzw. -drift wirkt sich sofort auf die Gate-Source-Spannung und damit den Drainstrom des Mosfets aus. Es gibt keinen Mechanismus, der sicherstellt, dass die Drainströme von M1 und M2 unter allen Umständen immer gleich sind - bis auf wenige mA genau!
b) Es fehlt die Temperaturkompensation für die Ruheströme der Mosfets. Auch diese muss so ausgelegt sein, dass die Ruheströme immer auf den gleichen Wert kompensiert werden.
c) Wie wird die Symmetrie bei praxisüblichen Bauteiltoleranzen gewährleistet? Man kann natürlich z.B. R17 oder R19 einstellbar machen, aber das wäre nur eine Bastellösung für den Heimgebrauch mit beschränkter Halbwertszeit.
2. Treiber
Die ECC83 kann nur wenig Strom liefern. Die im Vergleich dazu sehr große Gate-Source-Kapazität des Mosfets, die relativ hochohmig angesteuert wird, begrenzt massiv die obere Eckfrequenz. Man muss also relativ leistungsschwache Mosfets mit entsprechend geringerer G-S-Kapazität verwenden. Abgesehen davon ist die Auswahl an geeigneten p-Kanal Mosfets ohnehin nicht sehr groß.
Grüßle vom Rumzucker
Deine Schaltung ist interessant - und hat mit der Patentschaltung nichts zu tun. Sie entspricht prinzipiell dieser hier:
http://www.passdiy.com/pdf/Build%20The%2...lotron.pdf
mit Ausnahme des Treibers, der bei Dir mit Röhre realisiert ist. Mit Spice und den dort zunächst identischen Bauteilen geht sie ganz passabel. In der Praxis haben beide Schaltungen dieselben Probleme:
1. Arbeitspunkteinstellung:
a) Die beiden Mosfets erhalten ihre Gate-Source-Vorspannung jeweils unabhängig voneinander über den Spannungsabfall über R17 bzw. R19, also letztlich abhängig vom Anodenstrom von U6 bzw. U7. Eine Röhrenalterung bzw. -drift wirkt sich sofort auf die Gate-Source-Spannung und damit den Drainstrom des Mosfets aus. Es gibt keinen Mechanismus, der sicherstellt, dass die Drainströme von M1 und M2 unter allen Umständen immer gleich sind - bis auf wenige mA genau!
b) Es fehlt die Temperaturkompensation für die Ruheströme der Mosfets. Auch diese muss so ausgelegt sein, dass die Ruheströme immer auf den gleichen Wert kompensiert werden.
c) Wie wird die Symmetrie bei praxisüblichen Bauteiltoleranzen gewährleistet? Man kann natürlich z.B. R17 oder R19 einstellbar machen, aber das wäre nur eine Bastellösung für den Heimgebrauch mit beschränkter Halbwertszeit.
2. Treiber
Die ECC83 kann nur wenig Strom liefern. Die im Vergleich dazu sehr große Gate-Source-Kapazität des Mosfets, die relativ hochohmig angesteuert wird, begrenzt massiv die obere Eckfrequenz. Man muss also relativ leistungsschwache Mosfets mit entsprechend geringerer G-S-Kapazität verwenden. Abgesehen davon ist die Auswahl an geeigneten p-Kanal Mosfets ohnehin nicht sehr groß.
Grüßle vom Rumzucker