[alfsch]

gucki, Cds hängt schon von Uds ab - klar. das macht das ganze eben so komplex, dass ne simu nie stimmt, weil das model nicht stimmt

Spannungsteiler-Rechnung gilt nur für ein unbeschaltetes Gate...jo

Zitat:Ist der Treiber jedoch in der Lage, heftige Stromspitzen zwischen Gate und Source möglichst niederohmig kurzzuschließen, so wäre von der Seite her alles gut

wäre is das stichwort...der erste 640n hat sich ja dezent verabschiedet, bei 5 ohm g-s , ein treiber wie 2110 hat intern etwa 6 ohm....womit eigentlich alles gesagt is ;deal2
i.ü. müsste man erstmal testen, ob ein extra pnp transistor einen 20ns+12A peak "schlucken" kann, ohne >4V am gate ....zumal die meisten mosfet poly-gates haben, das gate hat hier intern schon etwa 3 ohm.
somit muss eben die dv/dt im kontrollierbaren bereich gehalten werden