12.12.2007, 11:21 AM
Einen MOS mit Brücke zwischen Gate und Source kriegst Du mit keinem halbwegs realistischen dV/dt eingeschaltet.
Deine Spannungsteiler-Rechnung gilt nur für ein unbeschaltetes Gate. Ist der Treiber jedoch in der Lage, heftige Stromspitzen zwischen Gate und Source möglichst niederohmig kurzzuschließen, so wäre von der Seite her alles gut.
BTW: ist Cds nicht sogar eine Funktion der anliegenden Spannung?
Deine Spannungsteiler-Rechnung gilt nur für ein unbeschaltetes Gate. Ist der Treiber jedoch in der Lage, heftige Stromspitzen zwischen Gate und Source möglichst niederohmig kurzzuschließen, so wäre von der Seite her alles gut.
BTW: ist Cds nicht sogar eine Funktion der anliegenden Spannung?