[alfsch]

Übersteuerung...hier treten bei hoher last die "nebeneffekte" der back-dioden bzw schaltens bei hohem strom auf...
mit der wichtigste zweck des fet-testers, da im betrieb eines amps diese zustände kaum zerstörungsfrei zu testen sind, ohne test aber wenig bzgl betriebssicherheit bekannt ist ;deal2

btw, was hab ich bis jetzt gelernt:
* der shoot durch die back-diode selbst scheint den mosfets gar nicht so viel auszumachen, wie ich dachte; aber der nebeneffekt -blitzartiger spg.anstieg danach- killt die teile ganz zwanglos
* gate-beschaltung kann "leben retten"
* verhältnis Cgs/Cgd ist wichtiger faktor : bei extrem steilem dV/dt ergibt sich unvermeidlich (!) ein kapazitiver spannungsteiler, zb bei irf640n bei 10v Vds: 1250p/250p = 5 ; steigt also spg am drain um zb 20v, gibts am gate 4v :: das schaltet den fet in den aktiven bereich! unvermeidlich...

z vgl: ...........bei 10v Vds .......................und bei 25vds:
irf640n 1250p/250p = 5......--> kritisch ab 20v !!!...110v
irf540z 1700p/120p = 14.....--> kritisch ab 60v .......70v
irfb4227 4700p/200p = 23.....--> kritisch ab 100v .....200v

ein 540z "verkraftet" somit etwas mehr, ein 4227 2x..5x soviel spannungs-anstieg wie ein 640n, bis er "unabsichtlich" aktiv wird (macht hoffnung für zukünftige amps mit den "richtigen" fets )

+ "kritisch" soll sein: bis hier kann wild+grob geschaltet werden, aber ab dieser spg muss dV/dt kontrolliert dh auf ein verträgliches mass reduziert werden ;deal2
+ was verträglich für den fet wird, hängt von seiner gate-beschaltung ab
+wo dv/dt real kritisch wird, wird wohl nur ne messung zeigen
+im editor ne tabelle machen...ein drama