22.05.2007, 11:58 PM
[P] << dabei sind sie parametermässig doch recht ähnlich[/P]
wenn das datenblatt stimmt (ich trau denen nicht mehr), wäre der 640n sogar etwas schneller, bes. td(on)+tr
was eben nicht in den datasheets steht: hat das ding nen current-tail, welche dv/dt kann zum (ahhh, surprise-) on der back-diode führen (die ja ein passiver transistor is), welchen widerstd hat die gate-struktur innen, welcher off di/dt führt zum "unintentional" turn-on über d-s nach dem turn-off (besonders witzig)..., um nur mal die wichtigsten drecks-effekte zu nennen
wenn das datenblatt stimmt (ich trau denen nicht mehr), wäre der 640n sogar etwas schneller, bes. td(on)+tr
was eben nicht in den datasheets steht: hat das ding nen current-tail, welche dv/dt kann zum (ahhh, surprise-) on der back-diode führen (die ja ein passiver transistor is), welchen widerstd hat die gate-struktur innen, welcher off di/dt führt zum "unintentional" turn-on über d-s nach dem turn-off (besonders witzig)..., um nur mal die wichtigsten drecks-effekte zu nennen
Don't worry about getting older. You're still gonna do dump stuff...only slower