08.12.2005, 09:31 PM
Na Sander? Immer noch nicht erledigt?
Schau mal: Deine Treiber-BJT haben eine hohe statische Strombelastung. Derart hohe Ströme brauchst Du aber eigentlich nur beim Ein- bzw. Ausschalten der MOS-Transistoren. Nachdem das geschehen ist, reicht ein minimaler Treiberstrom, um noch die Leckströme abzudecken.
Wenn Du eine Treiberstrufe derart "dynamisieren" willst, so mußt Du erstmal Deine Serienwiderstände vielfach hochohmiger machen. Dadurch sinkt der Kollektorstrom und die statischen BJT-Verluste.
Dennoch willst Du die Gates weiterhin mit hohen Strömen umladen. Um das zu erreichen, mußt Du nur die hochohmigen Widerstande mit geeigneten Kondensatoren (oder einer Serienschaltung aus C und R) überbrücken.
Und prompt erzeugen Deine Treiber unverändert hohe Ströme, die jedoch nach wenigen hundert Nanosekunden auf das Minimum zusammenbrechen.
Deine Q4/Q5-BJT's werden es Dir danken
Schau mal: Deine Treiber-BJT haben eine hohe statische Strombelastung. Derart hohe Ströme brauchst Du aber eigentlich nur beim Ein- bzw. Ausschalten der MOS-Transistoren. Nachdem das geschehen ist, reicht ein minimaler Treiberstrom, um noch die Leckströme abzudecken.
Wenn Du eine Treiberstrufe derart "dynamisieren" willst, so mußt Du erstmal Deine Serienwiderstände vielfach hochohmiger machen. Dadurch sinkt der Kollektorstrom und die statischen BJT-Verluste.
Dennoch willst Du die Gates weiterhin mit hohen Strömen umladen. Um das zu erreichen, mußt Du nur die hochohmigen Widerstande mit geeigneten Kondensatoren (oder einer Serienschaltung aus C und R) überbrücken.
Und prompt erzeugen Deine Treiber unverändert hohe Ströme, die jedoch nach wenigen hundert Nanosekunden auf das Minimum zusammenbrechen.
Deine Q4/Q5-BJT's werden es Dir danken