13.09.2005, 03:49 PM
...und nun will ich mich auch wieder den BJTs zuwenden.
Das größte Problem an voriger "totem-pole"-Schaltung ist die Millerkapazität von U3. Wenn die nicht wäre, könnte man R2 hochohmiger gestalten. U3 schreit insofern nach einem BJT. Hinzu kommt, daß ein BJT in der low-side in dieser Schaltung auch keine Inversdiode bräuchte, da D1 sowieso unverzichtbar ist.
In der high-side dagegen hat ein MOS vielfache Vorteile. Wesentlich ist, daß er auch dann nicht einschaltet, wenn D1 Strom führt (leicht negative Ausgangsspannung). Hinzu kommt, daß der MOS mit einem kleineren Bootsstrap-Kondensator auskommt, da ein BJT ja den Basisstrom während den vollen 2 us benötigt.
Also spricht viel dafür, eine Mischschaltung zu verwenden!
Laßt es uns versuchen....
Das größte Problem an voriger "totem-pole"-Schaltung ist die Millerkapazität von U3. Wenn die nicht wäre, könnte man R2 hochohmiger gestalten. U3 schreit insofern nach einem BJT. Hinzu kommt, daß ein BJT in der low-side in dieser Schaltung auch keine Inversdiode bräuchte, da D1 sowieso unverzichtbar ist.
In der high-side dagegen hat ein MOS vielfache Vorteile. Wesentlich ist, daß er auch dann nicht einschaltet, wenn D1 Strom führt (leicht negative Ausgangsspannung). Hinzu kommt, daß der MOS mit einem kleineren Bootsstrap-Kondensator auskommt, da ein BJT ja den Basisstrom während den vollen 2 us benötigt.
Also spricht viel dafür, eine Mischschaltung zu verwenden!
Laßt es uns versuchen....