[Gast]

Viel spass mit den modellen und beim simulieren nicht vergessen: die dinger hängen an leiterbahnen!

Mit der entsprechenden gegentaktschaltung (aktives leiten/sperren/gezieltes verzögern der low- oder highside) sind mit diesen transistoren bei geringstmöglichen leiterbahnlängen 20ns anstiegs- und abfallzeit ohne weiteres machbar und damit sind auch die angesprochenen probleme mit ringing gegeben. Beispiele sind hier auch hoch getaktete schaltnetzteile, für die diese typen hauptsächlich einsatz finden. Wenn eine zu langsame ansteuerschaltung das dt/di nicht schafft, steigt die verlustleistung (auch ohne querstrom) schlagartig an und zerstört die endtransistoren. Bei einem einzelmosfet kann der kristall wegen der etwas grösseren kupferfläche und dem fehlenden secondary breakdown ein paar ms sekunden länger der überhitzung standhalten, was in der praxis kaum auffällt

Parametermässig (z.b. uce,sat/r,on) hat der mosfet dem pnp gegenüber das nachsehen

kim