BTW: ich brabbel öfter was von "inverser Betriebsart" bei normalen Transistoren. Tatsächlich ist der Aufbau eines BJT ziemlich symmetrisch. In der Mitte die Basis und rechts und links Kollektor und Emitter. Beide äußere Elektroden sind halbleitertechnisch fast gleich gestaltet. Grundsätzlich kann man also Emitter und Kollektor vertauschen, ohne dass der BJT davon kaputt geht oder plötzlich sperrt.
Leider hat diese inverse Betriebsart den Nachteil, dass die Stromverstärkung rund eine Dekade niedriger liegt als bei korrekter Bestromung und auch die Restspannung viel größer ist. Meist reicht das, weil die inverse Betriebsart eh nur bei bestimmten Sonderfällen (z.B. Energierückspeisung unserer Spulenrestenergie) nötig ist. Der FZT853 arbeitet tatsächlich streckenweise invers.
Bei dem Ableittransistor können wir uns aber den Schabernack nicht erlauben. Die BE-Strecke des Schalttransistors kann nur ein paar Volt in falscher Richtung ab. Da brauchen wir eine hochwertige Diode. Entweder diskret oder wie ein MOSFET uns die kostenfrei mitliefert.
Angesichts der 10-Bauteilgrenze ist ein MOSFET also die richtige Wahl.
Der Regel-MOSFET ist wirklich nicht ganz ohne. Hab eben mal supersteile Kleinspannungspowertypen eingesetzt. Damit rattert die Ausgangsspannung sehr stark. Der schaltet einfach zu brutal.
Viel besser gefällt mit der BSS145. Der ist noch übler als der 2N7002. Tatsächlich macht er den Wandler "weicher" (hochohmiger). Im Gegenzug bekommt man aber ne sauberere Ausgangsspannung, weil er die Rückkopplungsspannung teilweise kurzschließen kann.
Man entfernt sich so vom knallharten Zweipunktregler und kommt zu einem gleitenden Verhalten.
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Zitat:Original geschrieben von kahlo
IRF610 ist natürlich ein wenig "oversized".
@Goggy: Der Transistor muss die volle Ausgangsspannung und Ströme über 3A aushalten (für 250V/50mA am Ausgang). Die Anforderungen an den Mosfet müssen noch definiert werden...
Danke für die Hinweise. Ich hatte die Schaltung erst falsch verstanden, und dachte der FET wäre das Leistungselement und der Transistor würde den FET ansteuern.
Ich hab mir jetzt einen Ringkern und 0,8mm Cu-Lackdraht organisiert. Wie ist die Berechnung? Leider hab ich noch nichts brauchbares gefunden. Habt Ihr einen Link zum Einlesen?
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Stimmt, von RK steht da nichts. Aber immerhin ist das SMD Gefrickel auf einem Ferritkern gewickelt.
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Ringkern mit Eisenpulver könnte auch gehen, wenn keine besonderen Ansprüche an die Verluste gestellt werden.
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Ja. Aber der hat nen Luftspalt und der dient zur Vermeidung der bei gleichstromdurchflossenen Spulen eintretenden Sättigung.
Es gibt allerdings auch Ringkerne (z.B. Amidon), die sozusagen den Luftspalt fest eingebaut haben.
Zu denen gibts dann auch Datenblätter mit einem Al-Wert, aus dem man die zu einer bestimmten Induktivität gehörenden Windungsanzahl berechnen kann.
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Btw, die meisten Darlington BJTs enthalten eine Inversdiode
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Zitat:Original geschrieben von Rumgucker
...
Zu denen gibts dann auch Datenblätter mit einem Al-Wert, aus dem man die zu einer bestimmten Induktivität gehörenden Windungsanzahl berechnen kann.
Die Rechnerei bekomme ich jetzt hin. So eine AL Zahl ist schon praktisch
Ich hab extra das Ding ausgemessen und etwas mit den Permeabilitäten rumgerechnet. Nur wo ich an der Wert für die relative Permeabilitätszahl des RK herkommen, war mir noch nicht ganz klar...
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Der Versuch ist ohne konkreten Hintergrund - wenn überhaupt wird es erst mal nur ein Testaufbau. Ist ne Schubladenlösung für ein Problem, das es noch nicht gibt.
Ich hab jedoch ein 12V 5A SNT rumliegen (war für einen Luftentfeuchter mit Peltier-Element), da könnte ich dann etwas brauchbares mit machen.
Und was willst Du nun als Schalttransistor nehmen, goggy?
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Zitat:Original geschrieben von Rumgucker
Und was willst Du nun als Schalttransistor nehmen, goggy?
Ich hab noch ein paar MJE13005, MJE13007 und MJE18004. Die sind ja für SNTs gedacht und damit sollte es doch gehen?
MJE13005 hab ich auch rumliegen. Ist einfacher zu kühlen als der FZT853 und er kann auch viel höhere Spannungen ab. Leider schaltet er aber auch um eine Dekade schlechter als der kleine.
Ich simulier ihn mal.....
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Zitat:Original geschrieben von Rumgucker
MJE13005 hab ich auch rumliegen. Ist einfacher zu kühlen als der FZT853 und er kann auch viel höhere Spannungen ab. Leider schaltet er aber auch um eine Dekade schlechter als der kleine.
Ich simulier ihn mal.....
Danke! Ich bin jetzt erst mal auf dem Golfplatz - das schöne Wetter ausnutzen!
Oha... das ist eine müde Dreckskiste. Der braucht richtig viel Rückkopplungsspannung. Und soviel Leistung kommt dann auch nicht raus. Rückkopplungsspule muss statt 5uH glattweg 50uH bekommen und Basisvorwiderstand 100 Ohm.
Nicht wirklich empfehlenswert.
Zeilentransistoren sind übrigens auch Dreck, weil die Stromverstärkung ganz erbärmlich ist.
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Sehr gut geht dagegen - für leistungsschwache Versorgungen - der "2N5550". Also so unkritisch, wie ich eingangs behauptet hatte, ist der BJT nun wirklich nicht.
