[Rumgucker]

Zitat:Original geschrieben von 3eepoint
Ich hab glat Emiter mit Basis Verwechselt;scared

Das ist bei BJT (also normalen Transistoren) nicht sooooo schlimm, denn die bestehen aus drei dotierten Schichten (pnp oder npn), wovon eigentlich nur die mittelere Schicht, die Basis, deutlich abweicht. Die äußeren Schichten für Kollektor und Emitter sind untereinander ähnlich.

Wenn man bei einem BJT Kollektor und Emitter vertauscht (durch absichtliche Verpolung), so spricht man von "inverser Betriebsart". Dabei sind die Daten zwar nicht mehr so doll wie im Normalbetrieb, aber es kann in manchen Schaltungen Bauteile sparen.

[3eepoint]

Also ich hab jetzt das ganze mal abgeändert und die obere Stufe zum laufen gebracht, aber sobald ich die untere versuche zu zu schalten schmiert die Schaltung ab und liefer nurnoch Rauschen bzw ne ziemlich komische PWM im fV bereich....


Ich wette das is nur ne Kleinigkeit oder Grundlagenwissen was da gerade fehlt....

[Rumgucker]

Guck Dir mal die Basis-Emitterdioden von Q3 und Q4 an. Das knallt. Miss mal mit Spice die Basisströme.

[voltwide]

Das feature "Einbrenn-Fleck im Monitor bei Überlastung" fehlt leider immer noch in Spice

[Rumgucker]

Es fehlen zwei Simulations-Bauteile. Eine Schmelzsicherung. Und Alufolie zur Überbrückung dauernd rausfliegender Schmelzsicherungen...

[kahlo]

Das sollte doch einfach zu modellieren sein .

[voltwide]

Eine robuste Schmelzsicherung fliegt nicht raus.
Die Absicherung übernehmen die Halbleiter (s. mein Gau-Beitrag von gestern)

[Rumgucker]

Zitat:Original geschrieben von voltwide
Eine robuste Schmelzsicherung fliegt nicht raus.
Die Absicherung übernehmen die Halbleiter (s. mein Gau-Beitrag von gestern)

Zumal eine gute Schmelzsicherung ohne Weiteres vielfach teurer als mancher Halbleiter ist...

[3eepoint]

Ok, 6TA sind etwas viel
Hab jetzt einfach die obere Stufe 2 mal aufgebaut und hab die Invertierung mit nem OP realisiert, macht das ganze denk ich einfacher....


Ich denke das solte es von den Treibern her fast gewesen sein, jetzt mus ich se noch dazu bringen die vollen 18V durch zu lassen und dann kans doch eigentlich weiter gehen, oder ?

[Rumgucker]

Sowohl die OPVs als auch die Emitterfolger haben einen Spannungsverlust. Dass da 15Vs rauskommen, ist schon ein sehr guter Wert. In der Praxis kanns ohne weiteres noch weiter einbrechen.

Wenn Du die Leitverluste mindern willst, so benötigst Du eine gänzlich andere Schaltung.

[Rumgucker]

Wozu brauchst Du eigentlich die vielen 0,22 Ohm Widerstände?

[3eepoint]

Besagte neue Emiterwiderstände die nun auch am Emitter liegen, was die 15V angeht wolt ich halt nur sicher gehen das die Mosfets voll durchsteuern ( soweit ich weis vertragen die +-20V am gate und sind dann auch voll ausgesteuert je näher man dort rangeht). Wie sähe die andere Schaltung den aus ?(aus reinem Interesse an Bildung^^)

[Rumgucker]

Das mit den Emitterwiderständen versteh ich unverändert nicht. Wenn die überhaupt einen Einfluss hätten, dann würde doch der an ihnen auftretende Spannungsabfall schädlich sein.

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Zu Zeit betreibst Du die Treibertransistoren in Kollektorschaltung (ugs. "Emitterfolger"). Wenn Du weniger Spannungsabfall erhalten willst, so könntest Du die Schaltung in Emitterschaltungen überführen.

Das sieht dann so ähnlich aus, wie Deine Hochstrom-Basis-Schaltungen ... nur eben mit Basisvorwiderständen .

[3eepoint]

Nun dan mal ne ganz einfache Frage:Brauch ich den ne höhere Spannung bzw einen Emiterschaltung bzw welche Vorteile hat dieser außer eines geringerem spannungsabfall?

[Rumgucker]

Vorsicht! Emitterfolger und Emitterschaltung sind zwei ganz entgegengesetzte Dinge!

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Das Problem kommt erst noch. Wenn Du an Deine Treiber NMOS anbaumelst, so sinkt die Spannung an der highside nochmal um die Gate-Source-Schwellspannung ab, rund 4V. Damit kommt die positive Ausgangsspannung nur noch auf schlappe +10Vs, bevor es zerrt. Über dem highside MOS fallen also schon mindestens 8Vs ab.

[Rumgucker]

Aber simulier es mal. Dann siehst Du das Problem....

[3eepoint]

Also hab jetz mit nem NMOS Simuliert, es wird mir kein Einbrechen der Treiberspannung ersichtlich (oder angezeigt), allerdings schalten die Mosfets auch nicht durch (20mV am Ausgang)......




Mach mich mal dran das ganze mit EmitterSCHALTUNG (so jetzt hab ich ^^) auf zu bauen.

[3eepoint]

Mit Emitterschaltung komm ich auf ganze 50mV.......
........bei 25V Treiberspanung die am Gate anliegen......

[voltwide]

Ich sehe jetzt zwei gegenphasig angesteuerte Emitterfolge als Treiberstufen.
Dahinter sitzen ein hi-side NMOS und ein lo-side NMOS.
Das ist "unüblich", könnte aber bis zu einem gewissen Grade funktionieren.

In jedem Fall wird die positive Halbwelle stark beschnitten,
d.h. von +15V sind abzuziehen 1V für den Emitterfolger und ca 5V gate-source-Spannung unter Last, kommen also höchsten +15V-6V=+9V raus an Last.

Kleiner tip zur Dokumentation: Wenn Du in LTSpice den Netzen, die Du anschließend "probst" einen Namen ("label") verpaßt, können Aussenstehende auch erkennen, an welchen Punkten Du gemessen hast. Statt N009 sieht man dann Deine gewählten Bezeichner wie "Hi-Side-Gate" "Out" oder was auch immer.

[voltwide]

Zu Deinem letzten posting: Vielleicht ist der MOSFET ja längst durchgebrannt? Nimm einfach mal einen neuen aus der Bibliothek
Und wenn das nicht hilft, miss mal die Spannung am drain nach