[Captain-Chaos]

Bei einem Transistor mit Schottkydiode wird beim Durchschalten der Basisstrom begrenzt. Das liegt an der geringeren Durchlassspannung von Schottkydioden gegenüber der Basis-Kollektor-Diode des Transistors.
Man sieht diese Schaltung zB. in bipolaren Logik-ICs, um die Schaltgeschwindigkeit zu erhöhen.

[Rumgucker]

Ich kann den Link nicht öffnen, sunny. Mein Explorer schreit rum, dass die Seite nicht sicher ist.

Was steht denn da?

Warum Deine IRF530 nicht warm werden, weiß ich nicht. Ich könnte mir vorstellen, dass sehr wohl ein Querstrom fließt, der allerdings gerade bei den aktuellen Bedingungen gering bleibt. Das kann sich aber schnell ändern, wenn Du den zweiten Kanal aufbaust (Bauteiltoleranzen), sich die Temperatur, die Betriebsspannung oder die Lastbedingungen ändern. Dann kommen vielleicht weitere 100ns Querstrom hinzu und dann geht die Sache los.

Miss doch mal bitte den momentanen Ruhestrom der Endstufe (also ohne NF) und sag uns bitte die Betriebsspannung, die an der Endstufe liegt.

[sunny]

da ist eine .pdf in der es um die entwicklung eines damp's geht. du musst eine ausnahmeregel hinzufügen weil das serverzertifikat abgelaufen ist. ich wollte die datei hier hochladen aber es geht nicht. es kommt immer folgender fehler"Die Datei konnte nicht hochgeladen werden, da bereits eine Datei mit dem selben Namen existiert oder da der Dateiname ungültig ist." egal welchen dateinamen ich verwende.

zur stomaufnahme
betrieben an +/- 30v fließen aus der positiven spannungsquelle 45mA und aus der negativen 75mA.

EDIT:
@captain
das überbrücken der kollektor-basis strecke mit einer schottkydiode hat so einfach erst mal nicht funktioniert. der levelshifter funktionierte danach nicht mehr. vermutlich müssen die wiederstände um die transistoren auch geändert werden.

[Rumgucker]

Dateien hochladen steht in unseren FAQs. Typischer Fehler: Dateiendung der Zieldatei vergessen?

Lies mich

Stromaufnahme kling entspannt. Das mit den +/-30V hatte ich zuvor überlesen. Sorry!

[sunny]

den dateinamen hab ich nicht vergessen. die anderen datein hier hab ich auch ohne probleme hochgeladen aber bei dieser klappt es nicht

[Rumgucker]

Ich hab das Gefühl, dass die Schwierigkeiten an der Länge der Datei liegen könnten. Der Link muss erstmal genügen. Ich komm nur im Moment nicht zum Download.

[Gert]

Zitat:Original geschrieben von Rumgucker
Ich hab das Gefühl, dass die Schwierigkeiten an der Länge der Datei liegen könnten. Der Link muss erstmal genügen. Ich komm nur im Moment nicht zum Download.

Habs mal fuer paar Tage hier geparkt:

http://gerphi.de/henriks-raport-sodigiamp.pdf

[ChocoHolic]

Zitat:Original geschrieben von sunny

@captain
kannst du da mit den schottkydioden mal näher erläutern? das würd ich mal ausprobieren.

@rumgucker
der ir2110 lässt das durchaus zu. wenn allerdings beide fet's gleichzeitig leiten würden, müssten diesa ja warm werde, oder? das tun sie aber nicht.


hier hab ich ein interessantes dokument gefunden wo es unter anderem um solche transistorstufen geht
https://svn.skumleren.net/websvn/filedet...ev=29&sc=1

In deiner Schaltung ist die Sättigung vermutlich nicht das Problem.
Deine BC327 werden niemals voll durchgeschaltet.
Zudem brächten derartige Sättignungseffekte eher massive Speicherzeien mit sich, d.h. deine BCs würden beim "loslassen" einige hundert ns (u. U. bis 1us) verzögert loslassen und nicht nur verschleifen. Deine leicht verschliffenen Flanken passen recht gut auf die 1k im Zusammenspiel mit ein paar pF Kapazität. Als relevante Kapazität sind bei dir die Transistorkapazitäten parallel mit der Treibereingangskapazität drin.
Wenn du die Flanken schnell haben willst, dann muesstest du niederohmiger werden. ==> R18, R19, R20, R21 so niederohmig wählen, dass dir die BC gerade noch nicht zu heiss werden.
Aber wenn diese Flanken sehr steil sind, dann musst du wieder andere Massnahmen (RCD etc) ergreifen um die Schaltzeitpunkte des Treibers einzustellen. Dein Ansatz das über so ein verschliffenes Signal zu machen, ist für Einzelstücke die man mit Liebe agleicht schon Ok.
Wie sehen deine Gate Signale aus?
Um beide Signale sehen zu können, kannst du die Halbbbrücke mit 0V Versorgungsspannung betreiben und den Halbbrückenausgang auch an 0V hängen. Dann kannst du beide Gatesignale sozusagen im Reinraum und ohne Differeztastkopf anschauen und die Totzeit so einstellen wie du es brauchst.

[sunny]

danke für die erklärung jetzt wo du's erklärst, leuchtet mit das ein. durch überbrücken von r18 und r21 müssten sich dann zumindest die stark verbogenen einschaltflanken verbessern lassen. aber du sagst also ich sollte gar nicht weiter an dem levelshifter rumoptimieren?

kannst du mir dan mit der messung der gatespannung noch mal näher erläutern? das schnall ich nicht so ganz wie ich da wo messen soll.

[ChocoHolic]

Stop, stop. Auf gar keinenFall einfach R18 und R21 überbrücken!
Erstens jagst du dann deine BCs in die Übersteuerung und zweitens generierst du Steuersignale die viel zu groß für die IR-Treiber sind.
R18, R19, R20 und R21 muessen zusammenpassen!

Die Messung der Gatesignal:
Es ist nicht einfach das Gatesignal des oberen MosFet im normalen Betrieb zu messen, weil du ja die Masse vom Scope normalerweise nicht an den Halbrückenausgang anschliessen darfst um das obere Gate zu messen.
Wenn du aber deine Halbbrücke mit Null Volt Versorgungsspannung betreibst, dann kannst du ohne größere Katastrophen die Scopemasse an die Schaltungsmasse und auch an den Halbbrückenausgang legen kannst.
So kannst du zwar nicht unter Last messen aber immerhin beide Gatesignale gleichzeitig sehen und die Totzeit in etwa einstellen.

[sunny]

nun, mal davon abegsehen das ich mir diese messaktion immer noch nicht vorstellen kann, aber wenn ich die halbbrücke nicht mit +ub und -ub betreibe schwingt der verstärker nicht mehr. ergo kann ich dann auch keine totzeiten mehr messen.

[Basstler]

Ehm...was hängt ihr euch an den Flanken vor dem Gatetreiber auf ?
der 2110 hat Schmitttrigger Eingänge ... ihm ist die Flanke schnurz.
Bei Ub 15V sind ab 9,5V nen H ... ab 6V wirds nen L.
Die runde Flanke führt schlimmstenfalls zur einer Verzögerung beim (ein) Schalten ... das könnte hier dazu führen, das es zu einer geschickten Deathtime generierung kommt ... darum störts auch die Fets nicht, wenn die H&L sich überschneiden.

[sunny]

wir hänge uns ja nicht wirklich dran auf zumal die schaltung mit den runden flanken ja funktioniert. das einzige was mich jetzt an den runden flanken stört, ist das sich der schaltpunkt des gatetreibers eher zufällig ergibt. bei einer schön steilen flanke wie sie z.b der opv an seinem ausgang erzeugt, ist der schaltzeitpunkt besser definiert.
für den jetzigen aufbau ist das zwar weniger von belang aber für die nächste schaltung könnte es schon interessant sein zu wissen wie man einen levelshifter mit steilen schaltflanken aufbaut.

[Rumgucker]

Zitat:Original geschrieben von sunny
...aber für die nächste schaltung könnte es schon interessant sein zu wissen wie man einen levelshifter mit steilen schaltflanken aufbaut.

Ich würde die beiden BJT erstmal auf Masse beziehen. Also Basis Q4 auf Masse und Emitter Q3 auch auf Masse. In Reihe mit dem Ausgang von IC6 ein Widerstand mit kleinem C gebrückt. R18 und R21 entfallen ersatzlos. Jeweils zwischen Kollektor und Basis Schottky-Dioden zur Sättigungsvermeidung, Anoden auf die Kollektoren.

[ChocoHolic]

Zitat:Original geschrieben von Basstler

... das könnte hier dazu führen, das es zu einer geschickten Deathtime generierung kommt ... darum störts auch die Fets nicht, wenn die H&L sich überschneiden.

Yupp, genau deshlab sage ich ja auch, dass es für Einzelstücke mit Einzelabgleich Ok ist.
Und um es korrekt einzustellen muss man halt nen Blick auf die Gates werfen, um zu sehen was da ankommt.

[sunny]

ich hab das gerade mal aufgezeichnet. auf NSIG hab ich dann ein rechteck mit der größe von -ub. das muss dann auf jeden fall an den eingangsbereich des ir2110 angepasst werden. dazu könnte man z.b. r19 als spannungsteiler ausführen was dann aber zu problemen bei schwankungen von -ub führen kann. oder man schützt den eingang mit vorwiederstand und z-diode. da könnte ich mir aber vorstellen das man sich die flanken wieder versaut.
an SIG hätt ich ein rechteck dessen größe vom verhältniss r20 zu dem vorwiederstand am ausgang von ic6 steht und auch von -ub abhängig ist. ich denke diese variante ist eher nicht so gut.

vielleicht sollte man einfach erst mal das ausgangssignal von ic6 mit einem einzelnen levelshifter auf das niveu von -ub bringen und dann dort weiter verarbeiten.

[ChocoHolic]

Zitat:Original geschrieben von Rumgucker

Zitat:Original geschrieben von sunny
...aber für die nächste schaltung könnte es schon interessant sein zu wissen wie man einen levelshifter mit steilen schaltflanken aufbaut.

Ich würde die beiden BJT erstmal auf Masse beziehen. Also Basis Q4 auf Masse und Emitter Q3 auch auf Masse. In Reihe mit dem Ausgang von IC6 ein Widerstand mit kleinem C gebrückt. R18 und R21 entfallen ersatzlos. Jeweils zwischen Kollektor und Basis Schottky-Dioden zur Sättigungsvermeidung, Anoden auf die Kollektoren.

...und souverän die IR-Treibereingänge mit der vollen Spannungsdifferenz GND vs V- beaufschlagen. Prost. Da brauchste noch ne Widerstands-ZDidoden-Klemmung an den Treibereingängen.
Zudem hat auch die Schaltung mit ner Schottkdiode zwischen Basis und Kollektor noch eine nicht unerhebliche Speicherzeit. Es sei denn du verwendest spezielle Transistoren mit sehr niedriger Sättigungsspannung.

Die Schaltung so wie sie gezeichnet ist, ist prinzipiell nicht schlecht.
...wenn's eilig ist, dann halt niederohmiger.
Wenn man +/-30V Versorgungsspannung annimmt, dann kann man immerhin die Werte von R18....R21 gleichmäßig halbieren ohne die BCs zu verkochen.
Um noch schneller und auch für höhere Spannungen tauglich zu werden muss man halt entsprechende Videotransitoren nehmen, oder die BCs kaskadieren und noch niederohmiger werden.
Oder evtl auf MosFets umschwenken.

[sunny]

ich hab mal versucht die gate spannungen zu messen. zuerst den oberen fet. das ist der mit der leicht welligen gatespannung. dan das signal im oszi gespeichert. zetzt den unteren fet gemessen, beide signale übereinander gelegt und die beiden totzeiten vermittelt.

[Rumgucker]

Zitat:Original geschrieben von ChocoHolic
...und souverän die IR-Treibereingänge mit der vollen Spannungsdifferenz GND vs V- beaufschlagen. Prost.

Trotz Endzeitstimmung: der Spannungsteiler ist IMHO schon erfunden (oben - an den Kollektoren - jeweils 2.2k und unten 1k) und reduziert obendrein den Einfluss der IR2110-Eingangskapazität.

[sunny]

dann kommt es aber zu dem problem was ich oben schon angesprochen habe das bei zusammenbrechen von -ub um z.b.5V die schaltschwellen des ir2110 nicht mehr erreicht werden.