[Basstler]

Zitat:Original geschrieben von Rumgucker

......ich versteh den Aufwand nicht. Ihr wollt doch nur die Ausschaltzeit der Backdiode messen? Sowas würde ich mit nem Rechteckgenerator und nem fremdtriggerbaren Scope machen.

Ob man nun mit einem "fertigen" Generator den Treiber treibt oder mit 3 Bauteilen ist ja ansich völlig egal

Hab bei mir einen reinen Pulsgenerator rumzustehen, nur ist da bei 10ns schluss.
Mal abgesehen von dem sinnfreien, weil schwer anzutreibenden, ext. Trigger mit 50 Ohm Impedanz. Da reicht kein OP mehr um den zu triggern....

[Rumgucker]

@alfsch: "100V" sind m.E. nicht nötig, da es auf den Strom ankommt.

Hinter nen Rechteckgenerator ne Gegentaktstufe (Source- oder Emitter-Folger) zu schalten, halte ich für mehr vertrauenserweckend, als die Spulenkonstruktion, die die Inversdiode erst einschalten muss.

Große Teile des Spulenstrom werden in Schaltkapazitäten versenkt und stehen dann nicht der Diode zur Verfügung. Wie hoch der Diodenstrom dann wirklich ist, weiß keiner. Hinzu kommt noch, dass der Spulenstrom e-förmig über die Backdiode entladen wird. Wie man da was messen will, ist mir schleierhaft, weil sich Spulenreststrom und Backdioden-Strom addieren, wenn der low-side-MOS zum 2.Mal feuert.

Ich würde mir einfach sowas zusammenstöpseln und den Trigger auf negative Flanke stellen:

[alfsch]

gucki, du hast zt schon recht...

nur: wenn du einige A in die diode pumpen willst, kommen die gleichen probleme mit dem aufbau: leitungen>induktiv usw.
im prinzip - wie gezeichnet - habe ich so auch schon dioden getestet
mein mos-tester soll ja mehrere aufgaben erfüllen:
test:
* spulen auf sättigung
* treiber+mos schaltzeiten
* backdiode+mos zeit/strom
im endeffekt wird das verhalten vom treiber bis zur spule wie im ziel=d-amp testbar...
mal sehen, obs auch so klappt

[Rumgucker]

Ich will Dich ja keinesfalls von Deiner Bastelwut abbringen und ich wiederhol mich und ich nerv und überhaupt, aber....


Du misst auch den e-förmig abklingenden Spulenstrom, sobald der untere Transistor feuert. Je kürzer Du die Pause zwischen beiden Impulsen machst, desto mehr Spulenstrom kriegst Du auch ab. Und zu dem hinzu kommt der Strom der Backdiode.

Da Du den Spulenstrom nicht kennst, kannst Du ihn auch nicht rausrechnen. Du kennst ihn nicht, weil die Kapazitäten der Schaltung bei nur 30uH schon ne große Wirkung haben.

Hinzu kommt, dass der (unbekannte) Spulenstrom ja Ursache für die Backdioden-Einschaltung ist. Je mehr Strom da reinfließt, desto länger dauert auch die Ausräumung.

Wieso gehts überhaupt um [ns] ? Die Backdiode arbeitet 1000-fach langsamer, also im us-Bereich.

[alfsch]

ja, klaro, der spulen-strom is drauf.. aber: in ersten puls steigt der auf x-Ampere, die pause is extrem kurz, dh der strom bleibt etwa der gleiche, nur der peak der diode kommt dazu...der unterschied wird deutlich...

+ wegen "ns" : das is ja gerade der punkt: im amp wird schnell geschaltet, dadurch kommts ja erst zu dem peak/shoot durch die diode
und genau das soll getestet werden, bzw : wie schnell darf mos einschalten, damit peak unter xx A bleibt , dh defekt vermieden wird
es interessiert mich also weniger, ob die diode zb in 160ns abschaltet, wie im db steht, sondern was geht ab, wenn sie in 50ns umgepolt wird...

[Basstler]

alfschs Beitrag kann ich unterschreiben.
Bei mir wird die Backdiode mittels Schottky lahmgelegt, nur bleibt interessant wie gross die Ströme werden. Für die Betriebssicherheit...

[killma$ter]

möchte noch hinzufügen, dass man den Spulenstrom mit einem schnellen Hallsensor messen könnte. diesen müsste man nur kalibrieren und ans oszi schalten.

[killma$ter]

@alfsch

soll es so aussehen? evt. einen andere Mosstufe

[Bild: test_wandler.png]

[killma$ter]

Während der Einschaltphase des Transistors ist die Spannung U1 gleich Ue. Da Ue größer ist als Ua steigt der Strom in der Induktivität nach dem Induktionsgesetz linear an.
Schaltet der Transistor aus (Sperrphase), so übernimmt die Diode (Backdiode) den Strom.
Dabei dreht sich die Spannung an der Induktivität um. Die Spannung U1 wird Null (genau: -0,7V) und an der Induktivität liegt nun (-Ua). Der Strom IL fällt linear ab.
Geht der Strom während der Sperrphase nicht auf Null zurück, so nennt man diesen Betrieb den nicht lückender Betrieb

gruß

[Basstler]

Naja, um nen Tiefsetzsteller geht es primär nicht.
Mehr um das Schaltverhalten (welche Ströme wo hin, etc).

[Rumgucker]

Hmmm..... so ganz daneben liegt killmaster nicht!

....und er bringt nen interessanten Einwurf: in Alfschs Schaltung klingt der Spulenstrom e-förmig ab. Einfach weil die Spule über die Backdiode kurzgeschlossen wird.

Aber simuliert das die Realität? Haben wir nicht auch im D-Amp eine konstante Spannung an der Spule? Ganz ähnlich wie bei killmasters Switcher?

Dann würde der Spulenstrom linear abnehmen, was ja ein geändertes Verhalten der Backdiode bewirken könnte.

[killma$ter]

bei Class-D ist der Strom abhängig von der LAST ®.
Jedoch können wir klarstellen, dass der Strom vor der Diode mit der Spule ein Element bildet. Die induktive Laste der Spule erzeug insich eine Spannung, diese sollte mit der pwm weite errechnet werden und somit könnte man auf den effektiv Strom kommen.

[Rumgucker]

Zitat:Original geschrieben von killma$ter
bei Class-D ist der Strom abhängig von der LAST ®.

Der Laststrom? Der Laststrom durch die Last ist nicht nur beim Class-D abhängig von der Last, sondern bei jedem Verstärker mit eingeprägter Ausgangsspannung.

Zitat:Original geschrieben von killma$ter
Jedoch können wir klarstellen, dass der Strom vor der Diode mit der Spule ein Element bildet.

Also ich kann das nicht klarstellen, einfach weil ich Deinen Satz nicht wirklich verstehe.

Zitat:Original geschrieben von killma$ter
Die induktive Laste der Spule erzeug insich eine Spannung, diese sollte mit der pwm weite errechnet werden und somit könnte man auf den effektiv Strom kommen.

Wie willst Du bitte in Alfschs Tester-Endstufe irgendwas errechnen?

[alfsch]

so, damit die gerüchteküche nicht überkocht

hier mal vorsichtiger 1. test bei 12v,
auf der opferbank:
irf640n
byw29 (als schnelle diode)
5uh drossel
hor: 1us/div v1: 5v/div am gate v2: 1v/div = 5A (0,2 ohm shunt)


und so mit irf640n an der spule = backdiode test

der strom-peak is ca 150ns schon recht "nett"
ala db 167ns ... nicht gelogen, soweit.

[alfsch]

so, vom stammtisch zurück
3 bier...und jetzt gehts ans eingemachte...
mit variac..
erstmal test: sättigung der 30uh spule (mit 32mm durchm.)

hor: 1us/div v1: 5v/div am gate v2: 2v/div = 10A /div

net übel, sättigung kommt bei ca 18A ,
würde also für kleinen amp mit 1kw/8ohm reichen

ups, umgeschalten auf doppelpuls, um die backdiode des irf640 mal etwas zu stressen..
leises plipp...
jetzt isser 0,1 ohm widerstand
dabei hatte ich nur 30A peak, bei etwa 40v, kaum 1,2kw
sehr sensibles teilchen....irgendwie...

[Rumgucker]

Saubere Bilder. Respekt!

Ich versteh den ersten Peak des Stroms nicht (direkt vor dem Back-Peak). Der erste Peak geht in die falsche Richtung. Kannst Du auch feiner als 1us/cm ?

[alfsch]

du meinst den kurzen peak beim schalten?
naja, das kommt vom treiber
der regt mit seinen 2A so etwa alles an resonanzen an, was zu finden is
abstand treiber-mosfet sind rund 20mm, das schwingt trotz diverser ker. smd caps wie hölle, oszi tastkopf sowieso vorne direkt an masse (ca 10mm), mit der üblichen masseklemme würde noch einiges gezappel dazukommen ; mal gucken, evtl kann ich mit ein paar ferrit-ringen was verbessern

hier: byv29 , trr 50ns
timing geändert; h: 200ns/div , v2: 10A/div

die angeregten zappler sind auch gut zu sehen

[killma$ter]

der Test war auch mit 12 Volt? Versuch doch vielleicht mit ca20 Volt zu arbeiten, soweit ich weis, laufen die irf640 unter einer bestimmten Spannung beschissen, hast du dicke Kabel am Gate? Welche schalttransistoren?

[Rumgucker]

Wieso laufen die MOS "beschissen", killmaster? Es ist doch alles gut.

Also ich hab nun folgendes gelernt:

1. der Back-Peak ist nicht sooo groß, wie ich dachte
2. das Datenblatt scheint zu stimmen
3. der Back-Peak ist trotzdem gefährlich
4. man kann Spulen in die Sättigung treiben

[alfsch]

jo...
hier mal lustige backdiode:
stb19nb20 (200v, 20a, etwa wie irf640)

hor: 0,5us/div v1: 5v/div am gate v2: 10A /div

nett bei 40v, 4a , locker 20A back-peak
suuuper für d-amp (für was hab ich die eigentlich gekauft ?

+ eigenartig: (bin grad in killerlaune) bei 100v nur 40A peak..warum jetzt nicht mehr?? (forschung nötig...

+ man beachte den spike im gate-signal, beim abschalten der diode, der geht unter 0v runter! trotz gate treiber auf +12v ! hier geht was ab...nur was genau