26.06.2016, 06:29 PM
Ich würde keinen C ans Gate tun. Widerstand oder Widerstand in Reihe mit (Diode || Widerstand) reicht.
Die GNDs sind am Chip ohnehin eins, ich würde auf keinen Fall unterm Chip versuchen die GNDs zu trennen sondern eher so dick es geht durchziehen, am besten auf dem Top-Layer. Der C für IntVCC sitzt dann auch direkt am IC.
Den richtigen Rückpfad für kritische Ströme (vor allem Gateantrieb LowSide, das macht erfahrungsgemäß am leichtesten Ärger wenn er in die Messung kommt und wird häufig vergessen) musst du "außen" im restlichen Layout festlegen.
Die GNDs sind am Chip ohnehin eins, ich würde auf keinen Fall unterm Chip versuchen die GNDs zu trennen sondern eher so dick es geht durchziehen, am besten auf dem Top-Layer. Der C für IntVCC sitzt dann auch direkt am IC.
Den richtigen Rückpfad für kritische Ströme (vor allem Gateantrieb LowSide, das macht erfahrungsgemäß am leichtesten Ärger wenn er in die Messung kommt und wird häufig vergessen) musst du "außen" im restlichen Layout festlegen.