[ChocoHolic]

Vgs und Vds des low side MosFet direkt am Transistor gemessen.
Probes nicht mit langer Masseleitung, sondern mit direktem Drahtringel.

Das angehängte Bild zeigt ne etwas etwas aufwändigere Messung, bei der ich mir
auch noch das obere Gate angeschaut habe.
Das braucht es aber nur wenn man sehen will ob der IC auch im Lastbetrieb in beide Richtungen gleich lange Totzeiten liefert... und bislang habe ich noch keinen IRS mit mehr als 20ns Ungleichheit aufm Tisch gehabt (nur unschoen für Ruheverluste und/oder Verzerrungen, aber üblicherweise kein Killer).
Für 99% aller Fälle reicht die Messung mit nur zwei Kanälen am unteren Fet und den verschiedenen Lastfällen.