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Zitat:Original geschrieben von kischo

meinst du den hier?
Zylon-Amp_Post#65

nächste Frage:
Solch ein Treiber á la IR2102 in SOIC8 hat zw. 2 Pinns weniger als 1mm Abstand.
zw. pin 5 und 6 (Low-Out & High-Supply-Vs) liegt gelegentlich meine Zwischenkreisspannung an.
Der Chip ist mit max 600V im DB angegeben.
Kriechstrecke (in erster Näherung) 1mm/100V.
Selbst wenn man die Platine an der Stelle schlitzen würde, bleibt die Strecke am IC-Gehäuse zu kurz ...
Damit ich die 600V schaffe müsste ich den IC dann vergießen oder wie denkt sich das der Hersteller

Ja - unter Laborbedingungen (geringster Verschmutzungsgrad) sind kleinere Kriechstrecken zulässig, und sowas darf man ins DB schreiben?

Kriechstrecke von 1mm ist doch schon ziemlich gut! Schau Dir mal die Kriechstrecken zwischen drain (Mittelkontakt) und gate bei 800V-MOSFETs im Gehäuse TO-220 an. Die wurden meines Wissens noch von keinem TÜV der Welt beanstandet - ist dann eben Stand der Technik.
Die Kriechstrecken beziehen sich üblicherweise auf die Trennung unterschiedlicher Stromkreise (primär-sekundär). Zwischen L+N sind die Anforderungen deutlich relaxter.

All dies sehe ich aber eher als Nebenschauplatz.

Hauptschauplatz ist die zuverlässige Funktion - und da hapert es bislang am grundsätzlichen Verständnis über Schaltvorgänge respektive Schaltstress - Stichwörter "hard switching" und "Kommutierung von Dioden", "Optimierung von Totzeiten" usw.
Lösungen sind offenbar im Bereich von Motorsteuerungen mit 3-Phasen-Speisung verfügbar, wobei die Taktfrequenzen natürlich nicht für Class-D ausgelegt sind.

Bleibt also die Herausforderung hohe Taktfrequenzen bei hoher Betriebsspannung zu realisieren.