[Rumgucker]

Zu Deiner Elkoschaltung...



Wie Du ja siehst, fließen durch die Primärwicklung mehrere Ampere. Wenn Du zwei 4700uF einmal nach Plus und einmal nach Minus schaltest, so ist die wirksame Kapazität 10.000 uF.

Nach U = I * t / C ergibt sich U = 3.2A * 0.01s / 0.01F = 3.2V.

Diese 3.2V Brummspannung liegen nun auch an den Gates und können deren sehr exakt einzuhaltenden Schaltzeiten dramatisch ändern. Entweder entstehen Querströme oder die MOSFETs schalten hart.

Du hättest ne Chance, wenn Du Power-GND und Signal-GND (wozu die gesamte Hochspannungsseite gehört) mit zwei unabhängigen virtuellen Massen verbindest. Also jeweils zwei Elkos und zwei Widerstände, in der Summe also vier Elkos und vier Widerstände. Die virtuelle Masse der Hochspannungsseite kann hochohmig ausgefürht werden, auch mit kleinen Kapazitäten.

Aber die Powermasse macht bei den anfänglichen Unsymmetrien große Sorgen. Wie willst Du die ohne aktive Schaltung auf Spur halten?

Schon in meiner Simulation fließen 500mA effektiv unsymmetrisch (guckstu M1 vs M2). Das muss Du ableiten, ohne dass die virtuelle Masse einem MOSFET die Gummel abschnürt.

Also im Ernst, mad. Bei aller Liebe. Ich will nicht, dass Du hier mit einem negativen Ergebnis ankommst, weil Du banale Experimentierfehler machst. Das würde mir doppelte Arbeit machen, weil ich dann zum Schluss ja regelrecht gezwungen wäre (mit Rücksicht auf meine Reputation), Deine misslungenen Experimente zu korrigieren.

Ich denke nicht, dass Du das hinbekommst, mad.

Wenn ICH mich aber ransetzen soll, dann will ich garantiert sehen, dass meine Arbeit nicht in Mads Mülleimer landet in dem schon so viel von mir gelandet ist. Lieber wärs mir, wenn irgendein anderer hier Interesse an praktischen Versuchen hätte. Das würde mich deutlich mehr motivieren. Und dann wäre auch garantiert, dass die Versuche nicht wegen handwerklicher Fehler scheitern.