[3eepoint]

Ich glaube das es dir so die Gates der Mosfets durchhauen wird. Eine Beschriftung der Betriebsspannung und der Bauteile wäre hilfreich....

Schauen wir uns doch mal den unteren Teil an. Der BJT dessen Emitter ZUM Gate hinzeigt setzt das Gate an 0V, jenachdem wie hoch deinen Betriebsspannung ausfällt zerhaut es dir das Gate. Das kann nur 20V von Gate nach Source ab.

Ich denke grundsetzlich funktioniert das aber du solltest die Treiberstufe an eine separate Betriebsspannung hängen die ca. 12V niedriger liegt als die die der Fet schaltet.

Allerdings Hätte Gucki das schon bemerkt und ich liege Falsch. Dementsprechen würd ich gern wissen was ich übersehe

[Rumgucker]

Zitat:Original geschrieben von 3eepoint
Ich glaube das es dir so die Gates der Mosfets durchhauen wird. Eine Beschriftung der Betriebsspannung und der Bauteile wäre hilfreich....

Quatsch. Er hat die Spannungen der beiden Treiber doch mit den Zenerdioden vorgegeben. Meintwegen haben die 15V

Zitat:Original geschrieben von 3eepoint
Schauen wir uns doch mal den unteren Teil an. Der BJT dessen Emitter ZUM Gate hinzeigt setzt das Gate an 0V, jenachdem wie hoch deinen Betriebsspannung ausfällt zerhaut es dir das Gate. Das kann nur 20V von Gate nach Source ab.

Quatsch.

Zitat:Original geschrieben von 3eepoint
Ich denke grundsetzlich funktioniert das aber du solltest die Treiberstufe an eine separate Betriebsspannung hängen die ca. 12V niedriger liegt als die die der Fet schaltet.

Quatsch.

Zitat:Original geschrieben von 3eepoint
Allerdings Hätte Gucki das schon bemerkt und ich liege Falsch. Dementsprechen würd ich gern wissen was ich übersehe

Die Zenerdioden.

[3eepoint]

Womit das auch geklärt wäre

[Rumgucker]

*ggggg*

[voltwide]

Tri-Quatsch!
einer fehlt noch bis zum endgültigen Quad-Quatsch

[3eepoint]

Zitat:Original geschrieben von voltwide

Tri-Quatsch!
einer fehlt noch bis zum endgültigen Quad-Quatsch

Den BJT zur Betriebsspannung kannste auch weglassen, das geht alles durch das Gate

Und nun meinen Quadquatsch bitte

[voltwide]

Quatsch!

[Rumgucker]

Bingo!

[Sauerländer88]

Kannst du in die Zeichnung per paint schreiben was du meinst?

Oder Anzeichnen?

Bin durcheinander durch die ganzen posts

[Rumgucker]

Zitat:Original geschrieben von Sauerländer88
Kannst du in die Zeichnung per paint schreiben was du meinst?

Gegenfrage: kannst Du Deinen Bauteilen Bezeichnungen geben? Dann hab nicht ich die Arbeit, sondern Du

[Sauerländer88]

Zunächst nehme ich mir T2 vor.

Wenn an Pin 8 0V anliegen ist der Transistor T2 nicht "aktiv". An der Basis des Transistors T7 liegt ein negatives Potential und der Transistor ist aktiv und verbindet das Gate mit Source -> der untere Mosfet ist aktiv.

Wenn an Pin 8 5V anliegen wird das Potential von 5V in den Transitor T6 gepumpt und somit wird T6 leitend.
Dadurch dass das Gate mit dem Drain verbunden ist, sperrt der untere Mosfet.


Nun folgt T1.

Wenn an Pin 6 low anliegt schaltet der Transistor T1 durch und ebenso ist der Transistor T3 (zum invetieren) und T5 aktiv. Das Gate vom Mosfet ist mit Source verbunden, sodass der obere Mosfet eingeschaltet ist.
Wenn nun am Pin 6 High anliegt ist Ube 0V ( Am Pfeil liegt eine Spannung von 5V).
Dadurch sperrt T1 und der Transistor T4 leitet, hierdurch ist das Gate des
Mosfets mit Drain verbunden und der Mosfet sperrt.


Die Diode D1 hat ca 12V weil Ansonsten an Ugs z.B. 100V anliegen.
Der Kondensator daneben ist wichtig zum schnellen schalten.

Die Diode unter T3 dient dem Schutz des Transistors T3 und die Schottkydiode dient ebenso zum Schutz der Transistoren T6 und T7

[voltwide]

Ein MOSFET sperrt, wenn gate mit source verbunden wird.
Ein NMOS/PMOS öffent, wenn die gate-Spannung pos/neg gegen source ist

[Sauerländer88]

Ja ich meinte dass gedanklich,

und was gibt es hierdran zu verbessern?

Ich würde mich über Anregungen/Änderungen von erfahrenen Usern freuen ;deal2

[voltwide]

Tja, auch erfahrene user können keine Gedanken lesen!
Die Beschreibung Deiner Ansteuerelektronik ist für mich soweit nachvollziehbar, wenn man die von Dir beschriebenen Polaritäten einfach invertiert - d.h. der einzige Fehler liegt in der Beschreibung der PowerMOSFETs.

Diskrete Ansteuerschaltungen, also solche ohne ICs, sehen in der Praxis auch in etwa so aus wie Du es hingemalt hast.

Allerdings würde ich für größere Leistung keine komplementären PowerMOSFETs, sondern zwei NMOS einsetzen. Ist robuster und schaltet schneller - für Betriebsspannung > 15V der bessere Ansatz.

Tja, und für diese Art von Ausgangsstufe sind die integrierten Halbbrückentreiber-ICs (IR2110etc) auch ausgelegt.

Es stellt sich nun die Frage, ob Du einen diskreten Halbbrückentreiber für 2xNMOS entwerfen willst.

[Rumgucker]

Ok.. mit Bezeichnern ist das sinnvoller.

Die Polarität an den Pins 6 und 8 ist frei bestimmbar. Um die zu vertauschen, brauchst Du nur die Eingänge des zugeghörigen Komparators zu vertauschen. Folglich kann T3 , die unbeschriftete BE-Diode und der unbeschriftete Widerstand an der Basis von T3 ersatzlos entfallen. Wenn Du ne Inversion brauchst, dann mach sie im Fensterkomparator.

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Ich versteh nicht, worauf die Basis von T1 gehen soll. Formell gehört sie an Masse. Genau wie die Basis von T2.

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Wenn Du Dir Vorteile von D3 versprichst, dann gehört so eine Diode ach in die highside.

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Die beiden unbeschrifteten Widerstände (warum beschriftest Du denn nicht gleich alles? ) an den Z-Dioden nach Masse kannst Du mit Vorteil durch einen einzigen Widerstand ersetzen.

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Die MOSFETs beinhalten schon pn-Inversioden. Wenn Du was bewirken willst, dann solltest Du Schottky-Inversioden parallel zu Source und Drain setzen. So bringt das gar nichts.

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Jder 80-Cent-Gate-Treiber a la 2110 o.ä. wird zigfach besser funktionieren als das diskrete Bauteilgrab.

[voltwide]

Zitat:Original geschrieben von Rumgucker




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Die beiden unbeschrifteten Widerstände an den Z-Dioden nach Masse kannst Du mit Vorteil durch einen einzigen Widerstand ersetzen.

.

Das meinste Du jetzt aber nicht ernst?

[Rumgucker]

Zitat:Original geschrieben von voltwide

Zitat:Original geschrieben von Rumgucker


Die beiden unbeschrifteten Widerstände an den Z-Dioden nach Masse kannst Du mit Vorteil durch einen einzigen Widerstand ersetzen.

.

Das meinste Du jetzt aber nicht ernst?

Ja, natürlich. Der Strom fließt von Plus durch die D1, dann durch den einen neuen Widerstand hin zur D2 und dann über die die negative Rail weg.

Wo hast Du ein Problem?

[voltwide]

Die Zenerdioden sollen +15V aufstocken auf eine neg Schiene, z.B. -50V
und -15V auf eine pos Schiene, in dem Fall +50V.
Beim Zusammenlegegen der Vorwiderstände fliessen also +50V über beide Z-Dioden nach -50V.
Bumm! ;baeh

[Rumgucker]

Zitat:Original geschrieben von voltwide
Die Zenerdioden sollen +15V aufstocken auf eine neg Schiene, z.B. -50V
und -15V auf eine pos Schiene, in dem Fall +50V.
Beim Zusammenlegegen der Vorwiderstände fliessen also +50V über beide Z-Dioden nach -50V.
Bumm! ;baeh

Es macht vorher nicht bumm. Und es macht auch nach der Einsparung des Widerstands nicht Bumm:

[voltwide]

Da hast Du natürlich recht.
Obwohl mir Bumm lieber gewesen wäre.