[Rumgucker]

Zitat:Original geschrieben von 3eepoint
R3/9/5 Bilden einen Spannungsteiler der die Vorspannung für die eingangs-BJT`s bereitstellt , R4 und 6 Bilden mit den BJT`s einen weiteren Spannungsteuler, welcher jenachdem wie stark die BJT`s durchgesteuert werden ein anderes Verhältnis annimmt und dadurch die Spannung an den Gates verändert. Oder seh ich da was falsch ?

Falsch nicht. Eher "unscharf".

Zuerst mal sollten in der Schaltung die Gatequerwiderstände dimensioniert werden. Die müssen niederohmig genug sein, um die großen Kapazitäten der MOSFETs schnell genug entladen zu können. Einfach leistungsfähige MOSFETs reinzuknallen ist völlig kontraproduktiv. Deine ursprünglich krummen Werte zeigten an, dass Du die Dinger irgendwie zur Arbeitspunkteinstellung verwendet hattest.

Wenn die Gatequerwiderstände feststehen, dann kann man den BJT-Strom bestimmen. Der muss doppelt so hoch sein, wie der von den Gatequerwiderständen verlangte Strom.

Dann muss man festlegen, welche Spitzenspannung der OPV am Ausgang bringen kann (slewrate beachten!) und dann kann man die Emitterwiderstände berechnen. Und ganz zum Schluss dimensioniert man den Emitterquerwiderstand zur Ruhestromeinstellung.