Ne. Output ist hier nicht interessant. Also müssen 1,3 bis 1,4 nF umgewuchtet werden. Rechnen wir mal lieber mit 2 nF.
Um jetzt weiter zu kommen, sollten wir den Spannungshub am Gate schätzen, der zwischen vollständiger Sperrung und vollständiger Einschaltung (bezogen auf Deinen Wunsch-Ausgangsstrom) notwendig ist.
Und danach können wir den Ladestrom berechnen, der dieses in beispielsweise 10 us schafft.
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Ich vermute mal das ich den Widerstand mit der Formel für Tau (Tau=R*C) berechnen kann inden ich die Formel nach R umstelle und für Tau dei halbe Periodendauer der relewanten Frequenz einsetze , habe das grade eben versucht, R=2.5*10^(-9)/(1.3*10^(-9) R= 1.9 Ohm, ich weiß aber nciht wie mein Taschenrechner das rundet ( nochmal mit Einheiten R=2.5uS/1237pF)
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Ich glaube ich war grade etwas voreillig
Die Tau-Formel ist bei der Entladung der Gate-Kapazität gut verwendbar. Kondensator an Widerstand.
Bei der Aufladung durch die stromliefernden BJT ist jedoch besser C = I * t / U verwendbar.
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Alsooooooo.....
Version mit Ruhestrom:
Ich rechne mal mit 100W an 2 Ohm, bei 70V müssen da 1.43A fließen, mit 100mA Ruhestrom ca 1.53A, laut des
ID vs. Vgs müssen dafür am Gate etwa 4.7V anliegen, kann das leider nciht ganz präzise ablesen =/
Spannungshub am Gate:0.6V
Version Ohne:
1.43A fließen bei 4.55V
Spannungshub am Gate:0.55V
Neeeee..... vergiss mal den Ruhestrom.
Es geht zur Zeit um volle Sperrung vs. voller Durchschaltung. Da fließen 35As
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Ja, die gate-Ladung ist kriegsentscheidend für die Schaltgeschwindigkeit der PowerMOSFETS.
Wie gesagt, ist das bisherige Konzept kaum praxistauglich, aber immer hübsch der Reihe nach. Zum Einarbeiten per Simu ist es eine von vielen Möglichkeitn.
Zur Slewrate - wielviel darfs denn sein?
Vorgegeben wird sie durch die gewünschte Leistungsbandbreite und die max unverzerrte Ausgangsspannung.
Eine allererste, grobe Annäherung sieht so aus:
Stell Dir eine Sinusschwingung der max gewünschten Amplitude vor, Frequenz ist gleich der anvisierten Leistungsbandbreite.
Schreibe in diese Sinuskurve eine Dreieckschwingung ein, mit derselben Amplitude.
Die Steigung der Dreiecksrampen in V/us gibt die passende Slewrate als Vorgabe.
Beispiel: 50kHz Leistungsbandbreite, 100Vpp Maximalpegel
innerhalb 10us wird von -50 bis +50V durchgefahren
-> 100V/10us = 10V/us
Nimm an, es befindet sich ein OPV in der Eingangsstufe.
Und zwischen OPV-Ausgagn und Leistungsausgang wird die Spannung noch einmal um den Faktor 10 verstärkt.
Dann müßte der OPV selbst eine SLR von (10/us) / 10 = 1V/us aufweisen.
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Ok, Ruhestrom wird ignoriert, aber wie kommst du auf 35As ?
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Zitat:Original geschrieben von voltwide
Ja, die gate-Ladung ist kriegsentscheidend für die Schaltgeschwindigkeit der PowerMOSFETS.
Wie gesagt, ist das bisherige Konzept kaum praxistauglich, aber immer hübsch der Reihe nach. Zum Einarbeiten per Simu ist es eine von vielen Möglichkeitn.
Zur Slewrate - wielviel darfs denn sein?
Vorgegeben wird sie durch die gewünschte Leistungsbandbreite und die max unverzerrte Ausgangsspannung.
Eine allererste, grobe Annäherung sieht so aus:
Stell Dir eine Sinusschwingung der max gewünschten Amplitude vor, Frequenz ist gleich der anvisierten Leistungsbandbreite.
Schreibe in diese Sinuskurve eine Dreieckschwingung ein, mit derselben Amplitude.
Die Steigung der Dreiecksrampen in V/us gibt die passende Slewrate als Vorgabe.
Beispiel: 50kHz Leistungsbandbreite, 100Vpp Maximalpegel
innerhalb 10us wird von -50 bis +50V durchgefahren
-> 100V/10us = 10V/us
Nimm an, es befindet sich ein OPV in der Eingangsstufe.
Und zwischen OPV-Ausgagn und Leistungsausgang wird die Spannung noch einmal um den Faktor 10 verstärkt.
Dann müßte der OPV selbst eine SLR von (10/us) / 10 = 1V/us aufweisen.
Danke Volti
@ Gucki
Bullschit, hab mich mit P=U*I verhauen, hast natürlich recht, sind 35As
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Zitat:Original geschrieben von Rumgucker
Wozu dann 2 Ohm und 140 Volt Betriebsspannung????
Weil ichs kann
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Zitat:Original geschrieben von Rumgucker
Die Tau-Formel ist bei der Entladung der Gate-Kapazität gut verwendbar. Kondensator an Widerstand.
Bei der Aufladung durch die stromliefernden BJT ist jedoch besser C = I * t / U verwendbar.
NeeNeeNee
Schaltvorgänge am MOSFET berechnet man grundsätzlich nie über Kapazitäten.
Weil diese extrem nichtlinear sind.
Gewöhn Dich von anfang an daran, hier mit Ladungen zu rechnen.
Einarbeiten in "Miller Plateau" "gate charge transfer characteristic"
Das muß man erst mal verstanden haben....
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Zitat:Original geschrieben von Rumgucker
Zitat:Original geschrieben von 3eepoint
Zitat:Original geschrieben von Rumgucker
Wozu dann 2 Ohm und 140 Volt Betriebsspannung????
Weil ichs kann
Glaub ich nicht...
Das war dadrauf bezogen das ich n Netzteil hier liegen habe das +- 70V schafft und auch nen Sub mut 2 Ohm, ich hab kein Wort über das dazwischen verloren ^^
Last: 4Ohm (warum nicht 2 ?)
Leistung:100W
Betriebsspannung:25V (kleine Reserve, 20V würden rechnerisch für 100W an 4Ohm reichen)
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Ich glaube ich rechne da falsch, 25V an 4 Ohm erzeigen 6.25A Stromfluss, das sind 156,25W ich hatte aber schon die Vermutung das ich das so nicht rechnen kann weil es n Wechselstrom und keine Gleichspannung ist
