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DAMPF: elektronische Lautsprecherumschaltung
#41
Soll ich das Dingens mal zusammenpinnen und ne Kennlinie aufnehmen, Volti? misstrau
 
#42
Zitat:Original geschrieben von Rumgucker

Soll ich das Dingens mal zusammenpinnen und ne Kennlinie aufnehmen, Volti? misstrau
sehr gerne, ich komm da sobald nicht zu Tongue
...mit der Lizenz zum Löten!
 
#43
Ok. Ich setz es auf meine Liste. Dann mach ich ein Foto und dann ist der Thread "erfolgreich erledigt" Heart
 
#44
Ist das der letzte Stand der Technik?

[Bild: 800_lsswi2.png]

Zwei Fragen:

1. darf ich nen IRF530 einsetzen?

2. genügt es dem Threadziel, wenn ich die Schaltung halbiere?

misstrau
 
#45
Antwort 2 kann ich mir auch selbst geben: es genügt nicht... Rolleyes
 
#46
Ja, das ist der letzte Stand der Technik
IRF530 wird mit seinem vergleichsweise hohen RDSon mehr Verzerrungen liefern, funktionieren sollte es aber trotzdem.
...mit der Lizenz zum Löten!
 
#47
Ich versteh die Simulation von Dir noch nicht. Wieso hat die Brücke eine positive und eine negative Offsetspannung?
 
#48
In dieser Simulation ging es um die Untersuchung zur Symmetrie dieser Schalter bzw. der vom Schalter erzeugten nichtlinearen Verzerrungen.

Ein Brückausgang ist gerade bei -6V, der andere bei +6V.
Die Schalter schalten durch.
Die überlagerte Sinusschwingung dient jetzt zur Linearitätsuntersuchung:
Wieviel Grundwelle, k2,k3 etc entfallen über dem durchgeschalteten Schalter?

Hier sieht man die Unterschiede der mehr oder weniger niederohmigen MOSFETs deutlich.

...mit der Lizenz zum Löten!
 
#49
Ok. Verstanden.

In der Simulation sieht tatsächlich alles ganz klasse aus. Möglicherweise aber einfach deswegen, weil die Modelle den Bereich nahe 0V nicht richtig simulieren.

Ich erinnere zum Beispiel, dass in Inversrichtung erst eine Schottky und danach eine pn-Charakteristik die Kennlinie dominiert, was einen kleinen Knick im 3. Quadranten bei Uds=-0.7V bewirkt. Aber das ist nur ein Verdacht.

Dmit ich in Ruhe Kennlinien in dem Bereich aufnehmen kann, hab ich Deine Schaltung statisch gemacht und etwas umgezeichnet

[Bild: 1_volti_sw1.png]

(möglicherwiese wandert der Lastwiderstand aber noch....)

Ist das Prinzip der Messschaltung ok?
 
#50
ja. Meine Ansicht ist, das MOSFETs rund um Null prinzipiell perfekte On-Widerstände haben. Die verbleibende Nichtlinearität ergibt sich daraus, dass das Spannungsgefälle über dem Kanal letztendlich die wirksame gate-source Spannung moduliert. Bei Wechselspannung / -Strom ergibt dies eine Unsymmetrie: K2, K4 ....
...mit der Lizenz zum Löten!
 
#51
Die parasitäre Diode kommt erst ins Spiel, wenn genug drain-Strom fließt, um über RDson 0,7V Gefälle aufzubauen (normale Si-Diode)
Es gibt spezielle MOSFETs mit Anti-Parallel-Schottky, aber das ist eher die Ausnahme.
...mit der Lizenz zum Löten!
 
#52
Ok... Mess-Schaltung ist diese:

[Bild: 1_volti_sw1.png]

-------------

Aufbau dieser:

[Bild: 1_volti_sw1.jpg]

Strommessung iirgendwo im Stromkreis, Spannungsmessung direkt an den beiden Drain-Kühlfahnen. Bei der Spannungsmessung wird also der Spannungsabfall über beiden MOSFETs gemessen.

-------------

Es ergibt sich dieses Diagramm (Id vs. Uds):

[Bild: 1_volti_sw2.png]

...also genau wie vermutet! Am Anfang ist der Widerstand gering und wird dann größer.

Eigenzitat:

Zitat:Ich erinnere zum Beispiel, dass in Inversrichtung erst eine Schottky und danach eine pn-Charakteristik die Kennlinie dominiert, was einen kleinen Knick im 3. Quadranten bei Uds=-0.7V bewirkt.

Auch Siemens bestätigt diesen Knick

[Bild: 1_volti_sw2.jpg]


Der gemessene Widerstand beginnt bei 0,22 Ohm und steigt dann schließlich auf 0,3 Ohm an. Die 0,08 Ohm Widerstandsänderung muss man nun auf die 8 Ohm Lastwiderstand beziehen, was 1% "Klirren" ergibt. Allerdings nur bei Leistungen ab 30 Watt, denn darunter fallen nur 0,5V am Schalter ab.

Kurzum: Deine Schaltung ist ok.

[Bild: 800_lsswi2.png]

Thread erfolgreich erledigt.


 
#53
Jepp, wobei auch gezeigt ist, dass MOSFETs sich für hinreichend kleines Kanalspannungsgefälle wie ein Widerstand verhalten.
...mit der Lizenz zum Löten!
 
#54
Noch niederohmigere MOSFETs bleiben auch bei hohen Leistungen unter 0.5V Spannungsabfall. Da gibts dann überhaupt keinen Knick.

Mich verwundert das Ergebnis etwas, denn offensichtlich kann man ja mit zwei MOSFETs bessere Analogschalter bauen, als die CD4066 usw. das konnten. Denn die hatten nahe bei 0V ihr Widerstandsmaximum. Bei Deinem Trick ist es glattweg umgekehrt.
 
#55
...als mosfet also zb IRF540z ....100V, 21 mOhm Tongue
    Don't worry about getting older.  You're still gonna do dump stuff...only slower