[E_Tobi]

Zitat:Im Resonanzfall liegt eine höhere Spannung am Trafo an als ohne Resonanz.

Zitat:Ich kann mir nicht recht erklären, wie Du Wdg/V berechnen willst, wenn Du die höchste vorkommende Spannung im Resonanzfall nicht berücksichtigen willst.

Zitat:Im Extremfall kann Deine Resonanzspannung doppelt so hoch werden, wie die Ausgangsspannung der Halbbrücke. Dafür sorgen Deine Dioden. Das genau ist der Resonanzfall von dem ich die ganze Zeit spreche.

Zitat:Woher soll denn die wundersame Leistungsmehrung stammen, wenn nicht von einer Spannungserhöhung am wirksamen Teil der Primärwindung? (Natürlich relativ zur normalen Trafoschaltung)

Ich habe die Spannungsüberhöhung im Zusammenhang mit deinen vorherigen Postings genommen. Dass sie relativ zur Schaltung ohne Resonanzkreis ist, ist klar. Die Ursache der höheren Spannung über der Hauptinduktivität hat aber nichts mit einer resonanten Spannungserhöhung zu tun, sondern nur mit der Verringerung des Blindwiderstands der Streuinduktivität.

Aussen am realen Trafo liegt zwar im Kurzschluss die höchste Spannung, weil der Schwingkreis ungedämpft läuft, aber die Spannung fällt im Trafo nicht an der Hauptinduktivität, sondern an der Streuinduktivität ab.

Die höchstmögliche Spannung, damit die größtmögliche Spannungszeitfläche, an der Hauptinduktivität können die 160V aus der Spannungsquelle sein, kein Volt mehr. Und die fallen an der Hauptinduktivität im Leerlauf ab, und nicht unter Last.