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Totzeiteinstellung und primärer Magnetisierungsstrom

Die Primärinduktivität bestimmt den induktiven Primärstrom.
Sie ist einstellbar über den Luftspalt:
Je größer der Luftspalt, desto kleiner die Induktivität und umso größer der Primärstrom.

Das Kriterium für den Mindest-Magnetisierungstrom ergibt sich aus der Forderung nach (Z)ero (V)oltage (S)witiching,
d.h. schon vor dem Einschalten eines MOSFET ist dessen drain-source-Spannung auf Null gefallen.
Dazu muß der Induktionsstrom im Abschaltmoment groß genug sein, um innerhalb der Totzeit die gesamte Ausgangskapazität umzuladen.

In der Praxis wird man diesen Blindstrom nicht größer einstellen als notwendig,
andernfalls steigen die reellen Durchflußverluste unnötig an.

Zur Untersuchung des ZVS-Verhaltens wird am einschaltenden LoSide-MOSFET die drain-source-Spannung gegen die gate-source-Spannung gemessen.
Am aktuellen Versuchsaufbau stellte sich heraus, dass schon ohne Luftspalt der Magnetisierungsstrom ausreicht.
Die Stromaufnahme der Halbbrücke wurde gemessen ohne den Beitrag der Ansteuerschaltung.

[IMG] https://stromrichter.org/d-amp/content/i...lczvs1.png[/IMG]
Obere Spur: V(LoSide-DS)
untere Spur: V(LoSide-GS)
Luftspalt: Null
Stromaufnahme: 21mA

Die LoSide-drain-source-Spannung fällt innerhalb 31ns von +12V auf Null.
Ca 150ns später erreicht die LoSide-gate-source-Spannung +3V

- perfektes ZVS!

[IMG] https://stromrichter.org/d-amp/content/i...lczvs2.png[/IMG]
Obere Spur: V(LoSide-DS)
untere Spur: I(prim)

Der Magnetisierungsstom beträgt hier 2,3A Spitze-Spitze.