[voltwide]

Dass bei Überschneidung die Drossel noch was bringt kann ich nicht nachvollziehen.
Die Entlastung der PowerMOSFET ist durch ZVS zu erklären, d.h. Kondensatorumladung erfolgt
durch den Magnetisierungsstrom der Ausgangsdrossel VOR dem Einschalten des anderen Brückenzweiges.
Der Magnetisierungsstrom (ripple) liegt irgendwo in der Gegend von 1A.
Dann braucht man für z.. 50nC rund 50ns Totzeit um ZVS hinzubekommen.

[ChocoHolic]

50nC für Drain-Source schon recht stattliche MosFets, oder hohe Spannung.
Ich bezweifle, dass in dem NXP-Chip mit solchen Kanonen geschossen wird.

Aber selbst dann:
Nimm mal an, die Anstiegszeit beim Schalten sei 20ns.
Mit 1A Magnetisierungsstrom werden auch dann immerhin 20nC aus der Drossel geliefert.
20nC von insgesamt 50nC ist schon eine deutliche Entlastung.

[voltwide]

Mmh- ja, das mag wohl hinkommen. Wenn die Spannungsflanke 20ns braucht, gehe ich allerdings noch von etwas Totzeit aus, weil gerade kleinere MOSFETS eigentlich extrem schnell einschalten. .