[Rumgucker]

Zitat:Original geschrieben von voltwide
Und selbst wenn hier die AkkuSpannung momentan 24V erreicht -
wäre Q1 imho nicht gefährdet, denn source wäre an Null, drain an 24V (an dieser Stelle war noch ein Fehler in meinem Schaltplan)

Ich nahm Q1-Drain an Akku an. Das ist IMHO auch so richtig, also kein Schaltplanfehler.

Q1-Source ist mit Q1-Drain über die Q1-backdiode verbunden, wenn Drain positiver als Source werden sollte. Das ist in meinem Szenario ja der Fall.

Je höher Du die Eingangsspannung schraubst, desto mehr Stellen in der Schaltung könnten - unter diversen Randbedingungen - kritisch werden. Ich glaub auch nicht, dass eine GS-Isolation bei exakt 20Vs durchschlägt. Sicherlich hält die auch noch 24V aus. Also lass Dich nicht (von mir) anmachen

Die Schaltung ist schon ok. Sie wirkt auf mich lediglich überladen und unbeholfen. Man hätte weiter denken sollen. So hätte ich zum Beispiel den Akku mit seinem Pluspol fest mit dem durchgezogenen Plus-Rail der Schaltung verbunden und "Superdiode", "Ladeschaltung" und "D-Amp-Chip" am Minuspol geschaltet, also NMOS und NPN verwendet. So hätte man sich die Pegelwandler sparen können, da der Tiny alle Halbleiter hätte direkt treiben können.

Wenn die Schalter auf dem Minuspol aus geschmacklichen Gründen nicht erwünscht wären, so hätte ich den Tiny-Pluspol direkt mit Plus-Rail verbunden und von dort aus die PMOS und PNP getrieben. Ebenso ohne Pegelwandler.

Im Betriebsfall hätte ich die Betriebsspannung des Tinys dynamisch von 3V auf 6V verdoppelt, damit er die Gates ansteuern kann.

So hätte die Schaltung vermutlich auf 50% eingedampft werden können. Bei mindestens gleicher Funktion. Und mindestens 50% mehr Sicherheit. Denn ein wegkonstruiertes und somit entfallendes Bauteil ist absolut unverwüstlich, kostet extrem wenig (nur einmal bei der Konstruktion etwas Gehirnschmalz) und kann niemals - durch welche Prüfungen und Randbedingungen auch immer - zerstört werden.

Je mehr Bauteile man einsetzt, desto mehr muss man bedenken und desto mehr Nebenwirkungen gibt es.