[Rumgucker]

Zitat:Original geschrieben von voltwide
Hier nun der aktuelle Schaltplan:

Viel erkennen kann man so nicht, aber geht schon.

Angesichts Deiner 220pF- und der 0,47uF-Beruhigungskondensatoren halte ich den Abgriff der GK-Spannung an den Source-Widerständen für schlecht, denn dadurch wird ein Tiefpass in die Gegenkopplung eingefügt - eigentlich ein Garant für Schwingungen. Besser wäre IMHO der übliche Abgriff an den Drains.

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vBias sinkt mit steigender Temperatur (rund -10mV/K) und soll den MOSFET-Temperaturgang ausgleichen, so dass in den lediglich 100mOhm Sourcewiderständen eine temperaturkonstante Spannung abfällt. Beim BUZ11 ist der Temperaturgang jedoch -5mV/K (Siemens DB), so dass Du den Drainstrom bei steigenden Temperaturen sogar verminderst. Das sieht woweit gut aus.Die Frage ist nur, ob man Q3 thermisch eng genug mit beiden MOSFETs koppeln kann (die sich ja auch noch unterschiedlich erwärmen können).

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Dein virtuelle Masse ist nicht temperaturstabil. Der Temperaturgang von Q2 (rund 2mV/K) wird von R24 und R23 auf 20mV/K verstärkt. Das schadet der Schaltung aber nicht. Man sollte die Zenerdiode D1 und den kritischen Q2 trotzdem an kühlen Stellen betreiben.