[obamaimladen]

Zitat:Original geschrieben von bambam

Hallo,
wie ist das jetzt, wenn ich mehrere Mosfets parallel schalte:
Was ich jetzt gelernt habe ist, dass Mosfets bei Schaltbetrieb und höherer Temperatur einen größeren Rds(on) bekommen und somit kein Problem beomme.

Aber im Linearbetrieb gilt das anscheinend nicht, sondern hier ist der Schnittpunkt der Igs/Vgs Linien von z.B. 25°C und 150°C zu beachten. Wenn dieser bei geringen Strömen erreicht ist, ist ja alles in Ordnung. Aber wenn nicht? Was kann man hier machen, dass man nicht einen nach dem anderen grillt?
Oder ist das in der Theorie relevant und in der Praxis kein Problem? Bei Bipolartransistoren müsste es doch das gleich Problem geben, oder?


Grüße

Bambam

Hallo Bambam

solche Powermosfets sind integrierte Schaltungen, sprich hier werden sehr viele Mosfetzellen parallel geschaltet. Auch in einem Powermosfet gibt es Zellen die früher oder später leitend werden.
Kaufe Dir viele und matche Dir gleichartige heraus. Die schraubst Du dann auf einen gemeinsamen Kühlkörper.

Hast Du gelesen?
"Positive temperature coefficient for ease of paralleling."
Das ist beim BJT nicht so.