Hallo,
danke für den Hinweis! Ich habe es korrigiert!
Grüße
Bambam
Die Parallelisierung hat IMHO viele Vorteile:
+ die Temperaturverteilung auf dem Kühlkörper ist gleichmäßiger
+ die Gesamtinduktivitäten vermindern sich
+ viele kleine Ströme sind leichter zu beherrschen als ein großer Strom
usw...
...aber auch Nachteile:
- mehr Montageaufwand
- mehr Bestell- und Lageraufwand
- umfangreichere Kontrollen und QS.
Die Vorteile der Parallelisierung sehe ich also mehr im technischen Bereich und deren Nachteile eher im kaufmännischen Bereich. Wenns also aufs Geld nicht so ankommt, sollte man eher parallelisieren.
Member
Beiträge: 15.878
Themen: 70
Registriert: Jul 2009
Zum Temperaturgang von PowerMOSFETs: Der Rdson eines voll
durchgesteuerten PowerMOSFET (Schaltbetrieb) nimmt mit
der Temperatur deutlich zu, hierin unterscheiden sich
die meisten Typen kaum.
Etwas ganz anderes ist linearer Betrieb.
Die Id/Vg-Kennlinie des von BamBam gezeigten PowerMOSFET
zeigt oberhalb von 100mA drain-Strom die gewünschte Charakteristik,
nämlich einen mit der Temperatur abnehmenden drain Strom.
Bei 100mA ist er temperaturunabhängig.
Und darunter kehrt er sich um!
Dieses Verhalten scheint ebenfalls typisch zu sein,
habe ich jedenfalls schon oft gesehen.
...mit der Lizenz zum Löten!
Also wär es nicht dumm, denen kleine Source-Widerstände zu spendieren, wenn man sie parallel betreiben will. Das ist ja doof.
Member
Beiträge: 15.878
Themen: 70
Registriert: Jul 2009
Nicht nur das: Die gate-Spannung streut ja auch nicht ganz
unerheblich zwischen einzelnen Exemplaren.
...mit der Lizenz zum Löten!
Member
Beiträge: 15.878
Themen: 70
Registriert: Jul 2009
Ich denke ja!
...mit der Lizenz zum Löten!
Bleibt trotzdem ne Halbbrücke.
Hallo,
mhhh ich denke, der Rest der Welt wird sich schon was dabei gedacht haben, mehrere Mosfets zu verwenden... ich weiß nur noch nicht den Grund oder den entscheidenden Vorteil...
Grüße
bambam
Member
Beiträge: 15.878
Themen: 70
Registriert: Jul 2009
Streung der gate-Spannung:
Im Datenblatt wird normalerweise die Schwellspannung
(threshold) spezifiziert. Üblich waren immer min2V typ3V max4V.
Also eine vom Hersteller garantierte Streubreite
der gate-Spannung von höchstens +/-1V.
Das wäre natürlich eine ganze Menge. Anderseits sind das
Garantiewerte. Und zumindest bei den alten 2sk50/2sk135 war die
tatsächliche Streuung so niedrig, dass ich seinerzeit
36 Paare in einem Class-B-Verstärker zusammengeschaltet hatte
für einen 5kW-Monoblock. Und der ist über Jahre gelaufen.
Also wenn Du MOSFETs aus derselben Liefercharge nimmst,
wird die tatsächliche Streuung vermutlich hinreichend klein sein. Ansonsten hilft da nur ausmessen.
...mit der Lizenz zum Löten!
Member
Beiträge: 2.051
Themen: 2
Registriert: Nov 2008
SJ 50 und SK 135 sind Lateral Fets, sebstleitend. die kann man mit standard Mos nicht vergleichen.
Member
Beiträge: 15.878
Themen: 70
Registriert: Jul 2009
Nein, diese MOSFETs sind mit Sicherheit NICHT selbstleitend.
Lateral mag sein.
...mit der Lizenz zum Löten!
Ich denke "ja".
. Das wär dann ja ne Viertelbrücke 
