23.09.2008, 07:02 PM
Meine Siganle sind "wackelfest".
Und mit dem oberen Abgleich bin ich recht zufrieden.
Sobald es an die Leistungsbauteile geht sind 2ns Anstiegszeiten eh illusorisch. Zumindest für mich momentan.
Hab meinen Amp-Prototyp absichtlich etwa um den Faktor zehn langsamer eingebremst, weil sonst die resultierenden di/dt für meinen Rasterplattenaufbau zu giftig wurden und auch du/dt über 5kV/us bei Hardswitchingevents für die meisten MosFets bei eher unpässlich sind.
Mit Anstiegszeiten von ca. 20ns am Halbbrückenausgang (von -55V bis +55V) und di/dt um die 500A/us habe ich noch recht gute Erfahrungen gemacht.
PS.
Könnte dein Problem evtl. durch ein Masseband zwischen Einschubgehäuse und Gesamtgehäuse behoben werden?
Und mit dem oberen Abgleich bin ich recht zufrieden.
Sobald es an die Leistungsbauteile geht sind 2ns Anstiegszeiten eh illusorisch. Zumindest für mich momentan.
Hab meinen Amp-Prototyp absichtlich etwa um den Faktor zehn langsamer eingebremst, weil sonst die resultierenden di/dt für meinen Rasterplattenaufbau zu giftig wurden und auch du/dt über 5kV/us bei Hardswitchingevents für die meisten MosFets bei eher unpässlich sind.
Mit Anstiegszeiten von ca. 20ns am Halbbrückenausgang (von -55V bis +55V) und di/dt um die 500A/us habe ich noch recht gute Erfahrungen gemacht.
PS.
Könnte dein Problem evtl. durch ein Masseband zwischen Einschubgehäuse und Gesamtgehäuse behoben werden?