25.07.2008, 04:42 PM
OK ich verstehe, dass man das Gate so gut wie möglich kurzschliessen möchte. Falls der Abschalt Transistor als Emitterfolger geschaltet ist, wäre die Ausgangsimpedanz doch immer noch ziemlich tief und der Sättigungsgrad des Transitors wird durch den Emitterstrom bestimmt also nur soviel wie nötig.
Vor 20 Jahren, als es noch schwierig war richtige MOSFET Treiber zu bekommen, experimentierte ich mit CMOS Invertern, welche eine Komplementärstufe mit BD 135 und BD 136 ansteuerten. Diese Stufe war ein komplementärer Emitterfolger.
Gruss
Charles
Vor 20 Jahren, als es noch schwierig war richtige MOSFET Treiber zu bekommen, experimentierte ich mit CMOS Invertern, welche eine Komplementärstufe mit BD 135 und BD 136 ansteuerten. Diese Stufe war ein komplementärer Emitterfolger.
Gruss
Charles