17.10.2005, 07:25 PM
@ Sixtas
"Anders sieht es aus, wenn die Ansteuerung eben kurz vor der Sättigung halt macht, und den Transistor in einem schmalen Grad zwischen gerade nicht verlangsamender Übersteuerung und gerade tolerierbarer minimaler Ansteuerung hält, bereits mit einem Darlington ist das nicht mehr optimal zu lösen ... bipolare Transistoren in Form von IGBT's schalten nach wie vor mit geringsten Verlusten, dazu gehört allerdings eine Schaltungsart, die den BJT-Ausgangstransistor in der oben erwähnten Region betreibt."
In beiden Fällen - die rein bipolare Variante und IGBT - handelt es sich bzgl. fetter Hervorhebung um eine (gemeinhin sog.) "Compoundverschaltung", also zwei zu V=1 verschaltete Emitterschaltungen bzw. ein Treibermosfet in Sourceschaltung + End-BJT in Emitterschaltung. Weiterer Vorteil neben der genannten Eigenschaften: nur zwei Hauptbetriebsspannungen sind erforderlich, zwei zusätzliche Treiber-Hilfsspannungen sind nicht nötig bzw. nicht zielführend und kämen für mich auch nicht in Frage.
Wichtigste Erkenntnis für diese und alle anderen Schaltungen:
Ohne präzises Timing, welches nicht auf die diversen on-, off- und storage-Zeiten der Ventile Rücksicht nimmt, läuft bei 1MHz rein überhaupt nichts. 85% Wirkungsgrad bei 250W P,aus bedeutet: exaktes Timing, um P,tot des Transistors der jeweils aktiven Seite unter 15W/der inaktiven Seite auf ~1W zu drücken - wie gezeigt.
Dazu gehören aber mindestens 8...10 Stück der 2W-BJT-Schalter pro Seite, solange jedoch der Bedarf an Multi-Emitter BJT's mit 150V/10A/40W/200Beta/200MHz/25ns weder geweckt noch gedeckt ist, sehe ich in der Multi-Bestückung vieler einzelnen BJT-Schalttransistoren keinen Sinn, "Verrückte" sollten sich von dieser Lösung jedoch nicht beeindrucken lassen (wenn ich noch mal vor einem Diplomthema stünde, könnte ich mir eine Facharbeit über die Herstellung eines komplementären "1000-Transistoren-Transistors" vorstellen, 1000 parallele Transen à 150V/100mA/100mW/200ß/20ns in dielektrischer Isolationstechnik auf einem Chip wäre ein reizvolles Thema).
Sollte der Gedanken an eine präzise, superschnelle Timerschaltung (wenigstens) bei dir Fuß fassen,
könnte man über entsprechende Schaltungen diskutieren, die komplette diskrete Endstufe sehe ich in der oben vorgestellten "85%-Variante" als realisiert an
Zitat:Aber Du scheinst eine Lösung zu kennen!Vollständig zitiert heißt das:
Zitat:dazu gehört allerdings eine Schaltungsart, die den BJT-Ausgangstransistor in der oben erwähnten Region betreibt.
"Anders sieht es aus, wenn die Ansteuerung eben kurz vor der Sättigung halt macht, und den Transistor in einem schmalen Grad zwischen gerade nicht verlangsamender Übersteuerung und gerade tolerierbarer minimaler Ansteuerung hält, bereits mit einem Darlington ist das nicht mehr optimal zu lösen ... bipolare Transistoren in Form von IGBT's schalten nach wie vor mit geringsten Verlusten, dazu gehört allerdings eine Schaltungsart, die den BJT-Ausgangstransistor in der oben erwähnten Region betreibt."
In beiden Fällen - die rein bipolare Variante und IGBT - handelt es sich bzgl. fetter Hervorhebung um eine (gemeinhin sog.) "Compoundverschaltung", also zwei zu V=1 verschaltete Emitterschaltungen bzw. ein Treibermosfet in Sourceschaltung + End-BJT in Emitterschaltung. Weiterer Vorteil neben der genannten Eigenschaften: nur zwei Hauptbetriebsspannungen sind erforderlich, zwei zusätzliche Treiber-Hilfsspannungen sind nicht nötig bzw. nicht zielführend und kämen für mich auch nicht in Frage.
Wichtigste Erkenntnis für diese und alle anderen Schaltungen:
Ohne präzises Timing, welches nicht auf die diversen on-, off- und storage-Zeiten der Ventile Rücksicht nimmt, läuft bei 1MHz rein überhaupt nichts. 85% Wirkungsgrad bei 250W P,aus bedeutet: exaktes Timing, um P,tot des Transistors der jeweils aktiven Seite unter 15W/der inaktiven Seite auf ~1W zu drücken - wie gezeigt.
Dazu gehören aber mindestens 8...10 Stück der 2W-BJT-Schalter pro Seite, solange jedoch der Bedarf an Multi-Emitter BJT's mit 150V/10A/40W/200Beta/200MHz/25ns weder geweckt noch gedeckt ist, sehe ich in der Multi-Bestückung vieler einzelnen BJT-Schalttransistoren keinen Sinn, "Verrückte" sollten sich von dieser Lösung jedoch nicht beeindrucken lassen (wenn ich noch mal vor einem Diplomthema stünde, könnte ich mir eine Facharbeit über die Herstellung eines komplementären "1000-Transistoren-Transistors" vorstellen, 1000 parallele Transen à 150V/100mA/100mW/200ß/20ns in dielektrischer Isolationstechnik auf einem Chip wäre ein reizvolles Thema).
Sollte der Gedanken an eine präzise, superschnelle Timerschaltung (wenigstens) bei dir Fuß fassen,
könnte man über entsprechende Schaltungen diskutieren, die komplette diskrete Endstufe sehe ich in der oben vorgestellten "85%-Variante" als realisiert an